東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 喜多研究室
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研究成果・発表
喜多研究室 ・ 今後の発表予定

11月24日～26日，応用物理学会先進パワー半導体分科会 第11回講演会にて，5件のポスター発表を予定しています。

・・・ 随時更新予定

喜多研究室 ・ 最近の研究成果発表

＜論文発表＞
  • Runze Wang, Munetaka Noguchi, Shiro Hino, and Koji Kita, "Investigating the Mechanism of SiO2/4H-SiC Interface Traps Passivation by Boron Incorporation through FT-IR Analysis of Near-Interface SiO2", Appl. Phys. Express 17, 081001 (2024). https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad652a
  • Runze Wang, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, and Koji Kita, "Dependence of the Incorporated Boron Concentration near SiO2/4H-SiC Interface on Trap Passivation Reduction", AIP Advances 14, 075304 (2024).https://doi.org/10.1063/5.0200844
  • Tianling Yang, Takashi Onaya, and Koji Kita, "Low-temperature annealing in O2 to annihilate the fixed charges in 4H-SiC/SiO2 interface induced by high-N-density nitridation process", IEEE Electron Device Lett., 45 (7) 1145-1148 (2024). https://doi.org/10.1109/LED.2024.3400954
  • Tatsuya Inoue, Takashi Onaya, and Koji Kita, "Enhancement of remnant polarization in ferroelectric HfO2 thin films induced by mechanical uniaxial tensile strain after crystallization process", Appl. Phys. Express, 17, 051003 (2024). https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad379a
  • Qiao Chu, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji Kita, "Comparative study of mechanical stress-induced flat-band voltage change in MOS capacitor and threshold voltage change in MOSFET fabricated on 4H-SiC (0001)", Jpn. J. Appl. Phys. 63, 030901 (2024). https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad2aa6
  • Atsushi Tamura and Koji Kita, "Verification of modulation mechanism of the interfacial dipole effect by changing the stacking sequence of monatomic layers in perovskite oxide", J. Appl. Phys. 134, 235301 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0169529
  • Tianlin Yang, Takashi Onaya, and Koji Kita, "Opportunity to achieve an efficient SiC/SiO2 interface N passivation by tuning the simultaneous oxidation modes during the SiC surface nitridation in N2 + O2 annealing", Solid-State Electronics, 210, 108815 (2023). https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108815
  • Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H.R. Tsai, and Koji Kita, "Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1-xO2 thin films", Solid-State Electronics, 210, 108801 (2023). https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108801
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita,"Relaxation of the Distorted Lattice of 4H-SiC (0001) Surface by Post-Oxidation Annealing", Solid State Phenomena, 345，31 (2023). https://doi.org/10.4028/p-N0q5NL
  • Siri Niitakayasetwat, Haruki Momiyama and Koji Kita,"Structural distortion in ferroelectric HfO2 – The factor that determines electric field-induced phase transformation", Solid-State Electronics, 204，108639 (2023). https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108639
  • Tae-Hyeon Kil, Tianlin Yang and Koji Kita, "Unexpected fixed charge generation by an additional annealing after interface nitridation processes at the SiO2/4H-SiC (0001) interfaces", Jpn. J. Appl. Phys. 61 SH1008 (2022). doi.org/10.35848/1347-4065/ac68cd
  • Rimpei Hasegawa and Koji Kita, "Characterization of deep traps in the near-interface oxide of widegap metal–oxide–semiconductor interfaces revealed by light irradiation and temperature change", Jpn. J. Appl. Phys. 61 SH1006 (2022).doi.org/10.35848/1347-4065/ac6564
  • Tianlin Yang and Koji Kita, "Considerations on the kinetic correlation between SiC nitridation and etching at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface in N2 and N2/H2 annealing”, Jpn. J. Appl. Phys. 61 SC1077 (2022). doi.org/10.35848/1347-4065/ac4357.
  • Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, and Koji Kita, “Impacts of Al2O3/SiO2 Interface Dipole Layer Formation on the Electrical Characteristics of 4H-SiC MOSFET”, IEEE Electron Device Letters 43, 92-95 (2022);doi.org/10.1109/LED.2021.3125945.
  • Tae-Hyeon Kil, Atsushi Tamura, Sumera Shimizu, and Koji Kita, “Impacts of band alignment change after interface nitridation on the leakage current of SiO2/4H-SiC (0001) and (1-100) MOS capacitors”, Appl. Phys. Express 14, 081005 (2021);doi.org/10.35848/1882-0786/ac16b9.
  • Siri Nittakayasetwat and Koji Kita, "Anomalous structural distortion – a possible origin for the waking-up of the spontaneous polarization in ferroelectric HfO2", Jpn. J. Appl. Phys. 60 070908 (2021); doi.org/10.35848/1347-4065/ac085c.
  • Atsushi Tamura, Seungwoo Jang, Young-Geun Park, Hanjin Lim, and Koji Kita, “Opportunity for band alignment manipulation of perovskite oxide stacks by interfacial dipole layer formation”, Solid-State Electronics 185, 108128 (2021); doi.org/10.1016/j.sse.2021.108128.
  • Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe and Koji Kita, “Flat-band voltage shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by interface dipole layer formation at the oxide-semiconductor and oxide-oxide interfaces”, Solid-State Electronics 183, 108115 (2021); doi.org/10.1016/j.sse.2021.108115.
  • Siri Nittakayasetwat and Koji Kita, “Evidence of Ferroelectric HfO2 Phase transformation Induced by Electric Field Cycling Observed at a Macroscopic Scale”, Solid-State Electronics, 184, 108086 (2021); doi.org/10.1016/j.sse.2021.108086.
  • Tae-Hyeon Kil and Koji Kita, “Consideration on SiO2/4H-SiC Band Alignment Modulation by NO Annealing”, ECS Trans. 98 (3) 47-53 (2020); doi.org/10.1149/09803.0047ecst.
  • Jun Koyanagi, Mizuki Nishida and Koji Kita, “Significant reduction of interface trap density
    of SiC PMOSFETs by post-oxidation H2O annealing processes with different oxygen partial pressures”, Jpn. J. Appl. Phys. 59, SMMA06 (2020); doi:10.35848/1347-4065/ab8e1f.
  • Takashi Hamaguchi and Koji Kita, “Impacts of density of deposited dielectric films on temperature dependence of interface dipole layer strength in multilayered dielectric capacitors for energy harvesting”, Jpn. J. Appl. Phys. 59, SMMA05 (2020); doi:10.35848/1347-4065/ab8bbe.
  • Qiao Chu, Masato Noborio, Sumera Shimizu, Koji Kita, “Influences of coexisting O2 in H2O-annealing ambient on thermal oxidation kinetics and MOS interface properties on 4H–SiC (1–100)”, Mater. Sci. Semicond. Process., 116, 105147 (2020); doi:10.1016/j.mssp.2020.10514.
  • Tae-Hyeon Kil and Koji Kita, “Anomalous band alignment change of SiO2/4H-SiC (0001) and (000-1) MOS capacitors induced by NO-POA and its possible origin”, Appl. Phys. Lett., 116, 122103 (2020); doi:10.1063/1.5135606.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, “Physical analysis of remained oxidation byproducts as the origins of lattice distortion at the surface of 4H-SiC by Fourier-transform infrared spectroscopy”, Jpn. J. Appl. Phys. , 59, SMMA02 (2020); doi:10.35848/1347-4065/ab7fe9.
  • Koji Kita, Eiki Suzuki, and Qin Mao, “Study on the Effects of Post-Deposition Annealing on SiO2/β-Ga2O3 MOS Characteristics”, ECS Transactions, 92 (1) 59-63 (2019); doi:10.1149/09201.0059ecst.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Similarity and difference of the impact of ion implantation and thermal oxidation on the lattice structure of 4H-SiC (0001) surface",Appl. Phys. Express, 12, 085507 (2019); doi:10.7567/1882-0786/ab30d4
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "The kinetics of lattice distortion introduction and lattice relaxation at the surface of thermally-oxidized 4H-SiC (0001)",Appl. Phys. Express, 12, 055505 (2019); doi:10.7567/1882-0786/ab103e
  • Siri Nittayakasetwat and Koji Kita, "Anomalous temperature dependence of Al2O3/SiO2 and Y2O3/SiO2 interface dipole layer strengths", J. Appl. Phys. 125, 084105 (2019); doi:10.1063/1.5079926. (Selected for Editor's Pick)
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Low temperature wet-O2 annealing process for enhancement of inversion channel mobility and suppression of Vfb instability on 4H-SiC (0001) Si-face", Appl. Phys. Lett. 113, 172103 (2018); doi: 10.1063/1.5042038.
  • Koji Kita and Adhi Dwi Hatmanto, "Significant Structural Distortion in the Surface Region of 4H-SiC Induced by Thermal Oxidation and Recovered by Ar Annealing", ECS Trans. 86(12): 63-67 (2018); doi:10.1149/08612.0063ecst.
  • Koji Kita, Mizuki Nishida, Ryota Sakuta, and Hirohisa Hirai, "Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Densityby Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation" ,ECS Trans. 86(2), 61-65 (2018); doi:10.1149/08602.0061ecst.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Thermal-oxidation-induced local lattice distortion at surface of 4H-SiC(0001) characterized by in-plane X-ray diffractometry", Appl. Phys. Express 11, 011201 (2018).
  • Mykhailo Pankieiev and Koji Kita, "Effects of oxide replacement with fluoride at the CoFeB interface on interface magnetic anisotropy and its voltage control", AIP Advances 8, 055901 (2018).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Effects of high-temperature diluted-H2 annealing on effective mobility of SiC MOSFETs estimated by split capacitance–voltage technique", Jpn. J. Appl. Phys. 56, 111302 (2017).
  • Koji Kita and Hironobu Kamata, "Demonstration of Large Flatband Voltage Shift by Designing Al2O3/SiO2 Laminated Structures with Multiple Interface Dipole Layers", ECS Transactions, 80 (1) 379-385 (2017).
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, and Kei Ishinoda, "Difference of Near-Interface SiO2 Structures between O2-oxidation and H2O-oxidation of 4H-SiC (0001) and Its Impact on MOS Interface Characteristics", ECS Transactions, 80 (7) 123-128 (2017).
  • Jiayang Fei and Koji Kita, “Opportunity of dipole layer formation at non-SiO2 dielectric interfaces in two cases: Multi-cation systems and multi-anion systems”, Microelectronic Engineering, 178, 225-229 (2017).
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, Hiroyuki Kajifusa, Kohei Kuroyama, Kei Ishinoda“Investigation of origins of the critically different MOS interface characteristics between dry-oxidized and wet-oxidized silicon carbide”, Microelectronic Engineering, 178, 186-189 (2017).
  • Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe and Koji Kita, “Anomalous flatband voltage shift of AlFxOy/Al2O3 MOS capacitors: A consideration on dipole layer formation at dielectric interfaces with different anions”, Appl. Phys. Lett. 110, 162907 (2017), 早稲田大との共同研究
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, “Difference of near-interface strain in SiO2 between thermal oxides grown on 4H-SiC by dry-O2 oxidation and H2O oxidation characterized by infrared spectroscopy”, Appl. Phys. Lett. 110, 152104 (2017).
  • Hironobu Kamata and Koji Kita, “Design of Al2O3/SiO2 laminated stacks with multiple interface dipole layers to achieve large flatband voltage shifts of MOS capacitors”, Appl. Phys. Lett. 110, 102106 (2017).
  • Y. Fujino and K. Kita, “Estimation of near-interface oxide trap density at SiO2/SiC metal-oxide-semiconductor interfaces by transient capacitance measurements at various temperatures”, J. Appl. Phys. 120, 085710 (2016).
  • Jiayang Fei and Koji Kita, “Understanding the impact of interface reaction on dipole strength at MgO/SiO2 and Y2O3/SiO2 interfaces”, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04EB11 (2016).
  • Kosuke Shimura, Ryota Kunugi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Jiayang Fei, Koji Kita and Takanobu Watanabe“Positive and negative dipole layer formation at high-k/SiO2 interfaces simulated by classical molecular dynamics”, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04EB03 (2016).
  • Yuki Fujino and Koji Kita, “Quantitative Characterization of Near-Interface Oxide Traps in 4H-SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements”, ECS Trans, 69 (5) 219-225 (2015).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Suppression of byproduct generation at 4H-SiC/SiO2 interface by the control of oxidation conditions characterized by infrared spectroscopy", Appl. Phys. Express 8, 021401 (2015).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Yuki Fujino, "Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density", ECS Trans. 64 (8) 23-28 (2014).
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) Interface with Nearly-Ideal Capacitance-Voltage Characteristics by Thermal Oxidation," Appl. Phys. Lett. 105, 032106 (2014).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai, "Understanding of Growth Kinetics of Thermal Oxides on 4H-SiC (0001) for Control of MOS Characteristics", ECS Trans. 61(2) 135-142 (2014).
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Interface-reaction-limited growth of thermal oxides on 4H-SiC (0001) in nanometer-thick region", Appl. Phys. Lett. 104, 052106 (2014).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "FTIR-ATR Study on Near-Interface Structure of Thermal Oxides on 4H-SiC Substrates", ECS Trans. 58 (7) 317-323 (2013).
  • Jiro Koba and Koji Kita, "Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides", ECS Trans. 58 (5) 127-133 (2013).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Structural difference between near interface oxides grown on Si and C faces of 4H-SiC characterized by infrared spectroscopy", Appl. Phys. Lett. 103, 132106 (2013).
  • W. F. Zhang, T. Nishimula, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi, "Conduction Band Offset at GeO2/Ge Interface Determined by Internal Photoemission and Charge-corrected X-ray Photoelectron Spectroscopies", Appl. Phys. Lett. 102, 102106 (2013).
  • Naruto Miyakawa, D. C. Worledge, and Koji Kita, "Impact of Ta Diffusion on the Perpendicular Magnetic Anisotropy of Ta/CoFeB/MgO", IEEE Magnetic Lett. 4, 1000104 (2013).
  • Yugo Chikata, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi, "Quantitative Characterization of Band-Edge Energy Positions in High-k Dielectrics by X-ray Photoelectron Spectroscopy", Jpn. J. Appl. Phys., 52, 021101 (2013).
  • Koji Kita, David W. Abraham, Martin J. Gajek, and D. C. Worledge, "Electrci-field-control of magnetic anisotropy of Co0.6Fe0.2B0.2/oxide stacks using reduced voltage", J. Appl. Phys., 112, 033919 (2012).
  • Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Toshiyuki Tabata, Kosuke Nagashio, Koji Kita, and Akira Toriumi, "Variation of Surface Roughness on Ge Substrate by Cleaning in Deionized Water and its Influence on Electrical Properties in Ge Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors", Jpn. J. Appl. Phys. 51, 104203 (2012).
  • Shinji Hibino, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, and Akira Toriumi, "Counter Dipole Layer Formation in Multilayer High-k Gate Stacks", Jpn. J. Appl. Phys. 51, 081303 (2012).

＜学会発表＞
  • Takashi Onaya,"Design of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Thin Films by Atomic Layer Deposition", The First Asia-Pasific Atomic Layer Deposition Conference (AP-ALD2024） (Oct 18, 2024, Shanghai, China）, invited.
  • Haoming Che, Takashi Onaya, Masaki Ishii, Hiroshi Taka, and Koji Kita，"Low-temperature crystallization of Hf0.5Zr0.5O2 thin films fabricated using H2O2 as the ALD oxidant", The First Asia-Pasific Atomic Layer Deposition Conference (AP-ALD2024） (Oct 18, 2024, Shanghai, China）.
  • 中島 辰海，女屋 崇，喜多 浩之， "Al2O3キャップ層による4H-SiC/SiO2界面への窒素導入過程の変化", 第85回応用物理学会秋期学術講演会，19p-C41-21 (2024年9月19日，朱鷺メッセ，新潟市）.
  • 女屋 崇，櫻川 裕大，高久 理名，喜多 浩之， "HfO2/ZrO2界面がHfO2/ZrO2ナノラミネート薄膜の強誘電相出現に与える影響の考察", 第85回応用物理学会秋期学術講演会，18p-A23-15 (2024年9月18日，朱鷺メッセ，新潟市）.
  • Chuyang Lyu, Takashi Onaya and Koji KITA, “Detection of carbon-related defects in near-surface region of SiC induced by low-oxygen-partial-pressure annealing”, D-6-04 (Late News), 2024 Int. Conf. of Solid State Devices and Materials (SSDM2024), Sep 4, 2024 (Himeji, Hyogo）.
  • Tianlin Yang, Takashi Onaya and Koji KITA, “Understanding of the effect of thermodynamic conditions on 4H-SiC surface nitridation kinetics based on modeling of surface nitridation kinetics”, D-5-02, 2024 Int. Conf. of Solid State Devices and Materials (SSDM2024), Sep 4, 2024 (Himeji, Hyogo）.
  • Tianlin Yang, Takashi Onaya and Koji KITA, “Understanding of the effect of thermodynamic conditions on 4H-SiC surface nitridation kinetics based on modeling of surface nitridation kinetics”, D-5-02, 2024 Int. Conf. of Solid State Devices and Materials (SSDM2024), Sep 4, 2024 (Himeji, Hyogo）.
  • Takashi Onaya and Koji KITA, “Role of Oxidant Gas for Atomic Layer Deposition of HfxZr1−XO2 Thin Films on Ferroelectricity of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors”, 245th ECS (The Electrochemical Society) Meeting, Symposium D02-Microelectronics and Nanoelectronics 2, D02-1303, May 30, 2024 (San Francisco, CA）, invited.
  • Koji KITA, “Consideration on Gate Stack Formation Processes of Ultrawide Bandgap Ga2O3 with SiO2 Dielectric Layer”, 245th ECS (The Electrochemical Society) Meeting, Symposium D02-Microelectronics and Nanoelectronics 2, D02-1299, May 30, 2024 (San Francisco, CA）, invited.
  • 田村 敦史, 喜多 浩之, “ペロブスカイト酸化物エピタキシャル薄膜における微視的および巨視的なバンドオフセットの値とリーク電流の大きさの関係”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 22p-12J-1, 2024年3月22日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • 女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, 澤田 朋実, 太田 裕之, 森田 行則, “ALD-ZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の形成技術とそのMFS構造への応用”, 第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-12J-2, 2024年3月23日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • 呂 楚陽, 女屋 崇, 喜多 浩之, “高温・低酸素分圧下アニールによる 4H-SiC 中の欠陥生成の FT-IR による検出”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-9, 2024年3月23日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • Runze Wang, Munetaka Noguchi, Shiro Hino, and Koji Kita, “Investigating the Mechanism of SiO2/4H-SiC Interface Traps Passivation by Boron Incorporation through FT-IR Analysis of Near-Interface SiO2”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-11, 2024年3月23日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • 中島 辰海, 女屋 崇, 喜多 浩之, “絶縁膜中の希土類元素の濃度による4H-SiC/絶縁膜界面への窒素導入現象の変化とその原因の考察”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-12, 2024年3月23日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • 佐々木 琉, 女屋 崇, 喜多 浩之, “NOによるSiC/SiO2界面への窒素導入速度論に対する雰囲気効果の理解”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-13, 2024年3月23日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • Qiao Chu, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji ita, “Mechanism of Mechanical Stress-Induced Flat-band Voltage Change in 4H-SiC MOS Structure”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-14, 2024年3月23日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • 井上 辰哉, 女屋 崇, 喜多 浩之, “機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその起源の考察”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 25a-1BJ-6, 2024年3月25日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • 片桐 浩生, 女屋 崇, 喜多 浩之, “SiO2との界面付近のβ-Ga2O3 中に酸素欠損が残存する原因の考察”, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 25a-52A-4, 2024年3月25日 (東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区）.
  • 女屋崇，生田目俊秀，長田貴弘，山下良之，塚越一仁，喜多 浩之，「強誘電体HfxZr1−xO2/TiN の界面反応に起因する分極疲労抑制メカニズムに関する考察」，第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (EDIT29，応用物理学会特別研究会）(2024年2月1日，東レ総合研究センター，三島).
  • T. Onaya, T. Nabatame, T. Nagata, Y. Yamashita, K. Tsukagoshi, Y. Morita, H. Ota, S. Migita, and K. Kita，"Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom­Electrode", 54th IEEE Semiconcuctor Interface Specialists Conference (SISC), 13.2 (Dec. 16, 2023, San Diego, CA).
  • 佐々木琉, 女屋崇，喜多浩之， 「NO アニールによる 4H-SiC/SiO2界面への窒素導入反応における酸素分圧の影響の理解」， 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会，IA-16 (2023年11月30, 金沢)， 講演奨励賞受賞.
  • 中島辰海, 女屋崇，喜多浩之， 「絶縁膜への希土類元素の導入による 4H-SiC/絶縁膜界面への窒素導入促進手法の検討」， 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会，IA-18 (2023年11月30, 金沢).
  • 片桐浩生, 女屋崇，喜多浩之， 「SiO2 成膜とアニールによる β-Ga2O3 表面近傍の酸素欠損の変化の検討」， 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会，IB-14 (2023年11月30, 金沢).
  • Tianlin Yang, Takashi Onaya and Koji Kita，「N2雰囲気での高温窒化プロセスと O2雰囲気での低温アニール処理の組み合わせによる4H-SiC/SiO2界面品質の向上」， 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会，IB-16 (2023年11月30, 金沢).
  • Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, and Koji Kita, “Impact of ALD-ZrO2 nucleation layers on leakage current properties and dielectric constant of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films“, 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023), 16P-1-109L (Nov. 16, 2023, Sapporo).
  • Koji Kita, “Considerations on SiC Surface Oxidation and Nitridation Reactions to Form SiO2/4H-SiC MOS Interface for Advanced Power Devices“, The 9th International Conference on Science and Technology, Universitas Gadjah Mada Annual Scientific Conferences Series (ICST UGM 2023) (Nov. 2, 2023, Yogyakarta, Indonesia), Invited.
  • Chuyang Lyu, Takashi Onaya, and Koji Kita, “Comparative Study on Local Lattice Distortion of 4H-SiC Surface Induced by Thermal Oxidation and Annealing in Ar Ambient”, 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023), S6-3, p.113 (Oct. 25, 2023, Kanazawa).
  • Runze Wang, Munetaka Noguchi, Shiro Hino, and Koji Kita, “Structural Analysis of Boron Incorporated SiO2/4H-SiC MOS Interface with Reduced Trap Density”, 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023), S6-5, p.117 (Oct. 25, 2023, Kanazawa), 三菱電機(株)との共同研究.
  • Qiao Chu, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji Kita, “Possible Origins of Mechanical Stress-Induced Anomalous Impact on Threshold Voltage of 4H-SiC (0001) MOSFET”, 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023), S6-6, p.119 (Oct. 25, 2023, Kanazawa), (株)日立製作所との共同研究. IWDTF Young Researcher Award受賞.
  • Ryu Sasaki, Takashi Onaya, and Koji Kita, “Effect of Oxygen Partial Pressure on Nitridation Kinetics at 4H-SiC/SiO2 Interface Using NO Annealing”, 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023), S6-7, p.121 (Oct. 25, 2023, Kanazawa).
  • Takashi Onaya, Takahiro Nagata, Toshihide Nabatame, Yoshiyuki Yamashita, Kazuhito Tsukagoshi, and Koji Kita, “Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1-xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling”, 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023), S3-3, p.25 (Oct. 24, Kanazawa), NIMSとの共同研究. IWDTF Young Researcher Award受賞.
  • Takashi Onaya, “Fabrication Technique of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Thin Films Using ALD-ZrO2 Nucleation Layers”, 244th ECS (The Electrochemical Society) Meeting, G02-1525 (Oct. 10, 2023, Gothenburg, Sweden), invited.
  • Koji Kita, “Design of Surface Oxidation and Nitridation Reactions on 4H-SiC for the Advanced SiC Gate Stack Formation Processes”, 244th ECS (The Electrochemical Society) Meeting, G02-1535 (Oct. 10, 2023, Gothenburg, Sweden), invited.
  • 片桐 浩生，女屋 崇，喜多 浩之，「SiO2/β-Ga2O3界面形成条件が与えるβ-Ga2O3表面近傍の酸素欠損量の違いの検討」第84回応用物理学会秋季学術講演会，23p-B201-1 (2023年9月23日，熊本)
  • 井上 辰哉，女屋 崇，喜多 浩之，「機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその歪み解放後の緩和現象」，第84回応用物理学会秋季学術講演会，20p-A309-4 (2023年9月20日，熊本)
  • Atsushi Tamura, Takashi Onaya, and Koji Kita, “Manipulation of Local Band Alignment Distribution by Controlling the Stacking Sequence in Dipole Layer at Perovskite Oxide Interface Characterized by Conductive AFM”, 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023), M-6-05 (Sep 8, 2023, Nagoya).
  • Tianlin Yang, Takashi Onaya, and Koji Kita, “Low-temperature post nitridation O2 annealing to reduce the fixed charge density while maintaining the high SiC surface N density”, 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023), N-5-01 (Sep 8, 2023, Nagoya).
  • Qiao Chu, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji Kita, “Anomalous Impact of Mechanical Uniaxial Stress on Threshold Voltage of 4H-SiC (0001) MOSFET”, 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023), N-5-03 (Sep 8, 2023, Nagoya). (株)日立製作所との共同研究成果
  • Runze Wang, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, and Koji Kita, “The Influence of Boron Concentration on the Reduction of SiO2/4H-SiC MOS Interface Defect Density with Preserved Flatband Voltage Stability”, 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023), N-5-05 (Sep 8, 2023, Nagoya). 三菱電機(株)との共同研究成果.
  • Tatsuya Inoue, Takashi Onaya, and Koji Kita, “Remnant Polarization Enhancement in Ferroelectric HfO2 Thin Films Induced by Mechanical Uniaxial Tensile Strain during Polarization Switching”, 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) PS-2-04 (Sep 7, 2023, Nagoya).
  • T. Onaya, T. Nabatame, T. Nagata, K. Tsukagoshi, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, and K. Kita “Role of interface reaction layer between ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film and TiN electrode on endurance properties”, 23rd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2023), (June 29, 2023, Pizzo (VV), Italy).
  • Tianlin Yang and Koji Kita, “Opportunity to achieve an efficient SiC/SiO2 interface N passivation by tuning the simultaneous oxidation modes during the SiC surface nitridation in N2 + O2 annealing” 23rd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2023), (June 28, 2023, Pizzo (VV), Italy).
  • Atsushi Tamura, Takashi Onaya and Koji Kita, “Origin of Interface Dipole Modulation in Perovskite Oxide Epitaxial Stacks by Monatomic Layer Insertion Characterized by Lateral Force Microscopy”, 23rd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2023), (June 28, 2023, Pizzo (VV), Italy).
  • 武田 大樹、女屋 崇、生田目 俊秀, 喜多 浩之, “界面形成手法によるSiO2/β-Ga2O3(001)バンドアライメントの違いの考察”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 17a-A301-5, 2023年3月17日 (上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区）.
  • Tianlin Yang and Koji Kita, “Understandings of the kinetics of N-incorporation and N-removal reactions for the 4H-SiC surface using the SiC consumption rate as an essential factor”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16a-A301-5, 2023年3月16日 (上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区）.
  • 佐々木 琉、中島 辰海、女屋 崇, 喜多 浩之, “4H-SiC/ゲート絶縁膜界面への窒素導入プロセスの低温化の検討”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16a-A301-6, 2023年3月16日 (上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区）.
  • 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, “分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16p-B508-3, 2023年3月16日 (上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区）.
  • 井上 辰哉, 女屋 崇, 喜多 浩之, “機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大の実証”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16p-B508-4, 2023年3月16日 (上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区）.
  • 安田 滉, 女屋 崇, 喜多 浩之, “アニール時の機械的歪み導入によるHfO2薄膜の強誘電相安定化効果”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16p-B508-5, 2023年3月16日 (上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区）.
  • 田村 敦史, 喜多 浩之, “ ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面への 原子層挿入による積層順序制御効果の検証”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16p-B508-9, 2023年3月16日 (上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区）.
  • 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 松川 貴, “TiN下部電極の表面酸化によるTiN/HfxZr1−xO2/TiN強誘電体キャパシタの分極疲労の抑制”, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ (第28回研究会), 2023年2月3日，(東レ総合研修センター(三島市)).
  • 喜多浩之，武田大樹，「酸素アニールを用いた酸化ガリウムのMOS界面形成プロセス」，ワイドギャップ半導体学会 第9回研究会， 2022年12月15日（金沢商工会議所，金沢市），招待講演.
  • Daiki Takeda and Koji Kita, "Investigation of SiO2/β-Ga2O3 (001) band alignment considering the effects of interface dipole layer formation", The 4th International Woarkshop on Gallium Oxide and Its Related Materials (IWGO2022), Pos 1-36, Oct 24, 2022, Nagano.
  • Atsushi Tamura and Koji Kita, “Correlation between Dipole Layer Formation and Surface Terminating Crystal Face in Perovskite Oxide Epitaxial Stacks Clarified by Lateral Force Microscopy", 2022 International Conferene on Solid State Devices and Materials, B-6-01, Sep 28, 2022, Chiba.
  • Tianlin Yang and Koji Kita, “4H-SiC surface nitridation kinetic model in high temperature N2 (+O2) annealing focusing on the effects of annealing temperature and O2 partial pressure", 2022 International Conferene on Solid State Devices and Materials, J-6-06, Sep 28, 2022, Chiba.
  • Runze Wang, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, Koji Kita and Koji Kita, “Improvement of SiO2/4H-SiC MOS Interface Characteristics via a Concentration-Tunable Boron Incorporation Process", 2022 International Conferene on Solid State Devices and Materials, J-6-08, Sep 28, 2022, Chiba.　(三菱電機（株）との共同研究）
  • 田村敦史，喜多浩之, “ ペロブスカイト酸化物界面におけるダイポール層LaAlO3の原子層積層順序とダイポール方向の相関の水平力顕微鏡による検証", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 23p-C102-7, 2022年9月23日， 東北大学（仙台市）.
  • 喜多浩之, “SiO2/β-Ga2O3 MOS特性とその熱処理による変化", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-M206-7, 2022年9月21日， 東北大学（仙台市），招待講演
  • Tianlin Yang and Koji Kita, “Kinetic Study of SiC Surface Nitridation in N2 Ambient with Simultaneous Oxidation in Passive and Active Oxidation Modes", The 9th Interfnational Conference on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), WA2-4, Sep 7, 2022, Nagoya.　（Young Researcher Award受賞）
  • Koji Kita, “Clarification of Possible Factors to Determine Flat-Band Voltage in 4H-SiC Gate Stacks with Nitrogen Passivation Processes", 241st ECS Meeting, in Symposium D02 "Dielectrics for Nanosystems 9: Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing", D02-1066, Jun 1, 2022, invited (digital presentation).
  • Koji Kita, “Study on the Electrical Characteristics and Band Diagrams of Ga2O3 MOS Gate Stacks", 241st ECS Meeting, in Symposium D01 "Solid State Devices, Materials and Sensors: In Memory of Dolf Landheer", D01-1038, May 31, 2022 (digital presentation).
  • Tianlin Yang，喜多浩之， 「Understandings of the kinetic balance between N incorporation and removal affected by SiC surface oxidation for 4H-SiC/SiO2 structure in hightemperature N (+O ) annealing」，24ｐ－E302-11, 第69回応用物理学会春季学術講演会，（2022年3月24日，青山学院大学相模原キャンパス ハイブリッド開催）.
  • 長谷川 凛平，喜多 浩之，「照射光の波長と測定温度によるC-V特性の違いを利用したSiC MOS界面近傍の深い準位の評価」，24ｐ－E302-10, 第69回応用物理学会春季学術講演会，（2022年3月24日，青山学院大学相模原キャンパス ハイブリッド開催）.
  • 武田大樹，喜多浩之，「SiO2/β-Ga2O3(001)のバンドダイアグラムの成膜後アニールによる変化の検討」，24a－E302-13, 第69回応用物理学会春季学術講演会，（2022年3月24日，青山学院大学相模原キャンパス ハイブリッド開催）.
  • 喜多浩之，「SiC表面の酸化と窒化によるMOS界面形成の科学」， 第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー（応用物理学会特別研究会），2022年1月29日，オンライン開催，招待講演.
  • Daiki Takeda and Koji Kita, "Characterization of SiO2/β-Ga2O3(001) MOS Band Diagram with Photoelectron Spectroscopy for the Correct Evaluation of Interface Fixed Charge Density", 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Techonology (IWDTF2021), S10-3, Nov. 16, 2021 (virtual conference).
  • Tae-Hyeon Kil and Koji Kita, "Unexpected Fixed Charge Generation by an Additional Annealing after Interface Nitridation Processes at SiO2/4H-SiC (0001) MOS Interfaces", 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Techonology (IWDTF2021), S9-2, Nov. 16, 2021 (virtual conference).
  • Atsushi Tamura, Cheol Hyun An, Hanjin Lim, and Koji Kita, "Manipulation of Interfacial Dipole Effect at Perovskite Oxide Heteroepitaxial Interface by Stacking Sequence of Monatomic Layers in LaAlO3", 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Techonology (IWDTF2021), S4-2, Nov. 15, 2021 (virtual conference), selected for IWDTF Best Paper Award.
  • Rimpei Hasegawa and Koji Kita, "Characterization of Deep Traps in Near-Interface Oxide of Widegap MOS Interfaces Revealed by Light Irradiation and Temperature Change", 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Techonology (IWDTF2021), S3-2, Nov. 14, 2021 (virtual conference).
  • Koji Kita, “Study on Impact of MOS Interface Passivation Processes on Band Alignment and Flat-Band Voltage of 4H-SiC Gate Stacks", 240th ECS Meeting, in Symposium G02 "Semiconductor Process Integration", G02-0940, Oct 14, 2021 (virtual conference), invited.
  • Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe and Koji Kita, “Positive threshold voltage shift of 4H-SiC MOSFET induced by Al2O3 /SiO2 interface dipole layer formation”, D-4-02, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), Sep 8, 2021 (virtual conference).
  • Tianlin Yang and Koji Kita, “Considerations on the kinetic correlation between SiC nitridation and etching at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface in N2 and N2 /H2 ambient”, D-4-05, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), Sep 8, 2021 (virtual conference).
  • Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe and Koji Kita, “Flat-band voltage shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by interface dipole layer formation at the oxide-semiconductor and oxide-oxide interfaces”, 22th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2021), Jun 30, 2021 (virtual conference).
  • Siri Nittakayasetwat and Koji Kita, “Evidence of Ferroelectric HfO2 Phase transformation Induced by Electric Field Cycling Observed at a Macroscopic Scale”, 22th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2021), Jun 29, 2021 (virtual conference).
  • Atsushi Tamura, Seungwoo Jang, Young-Geun Park, Hanjin Lim, and Koji Kita, “Opportunity for band alignment manipulation of perovskite oxide stacks by interfacial dipole layer formation”, 22th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2021), Jun 28, 2021 (virtual conference).
  • Yang Tianlin and Kita Koji, 「Considerations on competition between SiC surface nitridation and etching at SiO2/SiC interface induced by high-temperature N2 annealing」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 18p-Z05-12, 2021年3月18日(オンライン発表）.
  • Taehyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, and Koji Kita, 「Positive VFB shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by Al2O3/SiO2 interface dipole layer formation」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 18p-Z05-9, 2021年3月18日(オンライン発表）.
  • 佐賀 利浩, 喜多 浩之, 「予め高温N2+H2アニールを施した4H-SiC表面へのMOS形成プロセス」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 18p-Z05-13, 2021年3月18日(オンライン発表）.
  • 佐俣 勇祐, 増永 昌弘, 島 明生, 桑名 諒, 喜多 浩之, 「高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 18p-Z05-8, 2021年3月18日(オンライン発表）.
  • 長谷川 凛平, 喜多 浩之, 「低温化によるキャリア捕獲時定数の増大に着目した4H-SiC MOS界面近傍欠陥の評価手法の検討」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 18p-Z05-10, 2021年3月18日(オンライン発表）.
  • 武田 大樹, 喜多 浩之, 「β-Ga2O3電子構造のUPS評価に基づくMOS界面固定電荷密度の正確な抽出」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 16a-Z16-11, 2021年3月16日(オンライン発表）.
  • Siri Nittayakasetwat and Koji Kita, 「Direct Evidence of Electric Field driven Phase Transformation in the Waking-up Process of Ferroelectric HfO2 Characterized by Conventional X-ray Diffraction」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 16p-Z26-7, 2021年3月16日(オンライン発表）.
  • 籾山 陽紀, Siri Nittayakasetwat, 喜多 浩之, 「キャップ層を用いたアニールによるHfO2膜中歪み操作と強誘電相安定化効果の面内および面外方向へのX線回折を用いた評価」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 16p-Z26-8, 2021年3月16日(オンライン発表）.
  • 田村 敦史, Seungwoo Jang, Young-Geun Park, Hanjin Lim, 喜多 浩之, 「ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面に生じる界面ダイポール効果の電荷導入原子層数による大きな変化」, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 16a-Z13-7, 2021年3月16日(オンライン発表）.
  • Tae-Hyeon Kil and Koji Kita, "Consideration on SiO2/4H-SiC Band Alignment Modulation by NO Annealing", Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020), MA2020-02, 1355, Oct 4-9, 2020 (virtual conference).
  • Siri Nittayakasetwat and Koji Kita, "Relationship between the Waking-up Effect and Structural Distortion in Ferroelectric HfO2 characterized by X-ray Diffraction", 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), A-1-03, Sep 28, 2020 (live presentation on-line).
  • Siri Nittayakasetwat and Koji Kita, "Consideration of Charge Injection Effect on the Degradation of Ferroelectric HfO2 during Bipolar Voltage Cycling"，2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 14p-A303-11, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • Qin Mao and Koji Kita, "Insulating Ga2O3 layer formation at SiO2/β-Ga2O3 interface during oxygen annealing at 1000℃ and its impact on Ga2O3 MOS interface characteristics"，2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 14p-B401-15, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • 田村 敦史，喜多浩之，「ペロブスカイト酸化物界面に生じる界面ダイポール層によるバンドアライメント変調効果の検証」，2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15a-A305-7, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • 濱口 高志，喜多浩之，「Al2O3/SiO2界面ダイポール層強度の温度依存性と各酸化物の密度の相関」，2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15a-A305-8, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • Taehyeon Kil, Atsushi Tamura, Masato Noborio, Sumera Shimizu, and Koji Kita，"Comparisons of band alignments and current conduction mechanisms between SiO2/4H-SiC (0001) and (1-100) systems with NO-POA", 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A201-4, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • 佐俣 勇祐，喜多浩之，「Si 面・C 面・a 面上に形成された 4H-SiC/SiO2窒化界面構造の安定性の比較」，2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A201-5, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • Qiao Chu, Adhi Dwi Hatmanto, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji Kita，"Mechanical-stress-induced anomalous change of electrical characteristics of 4H-SiC (0001) NMOSFET fabricated on Al-implanted p-type well", 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A201-6, 2020年3月12－15日（講演会中止）. ((株)日立製作所との共同研究）
  • 野口 宗隆，岩松 俊明，網城 啓之，渡邊 寛，喜多 浩之，三浦 成久，「低アクセプタ濃度のp型ウェル領域におけるSi面SiC MOS反転層移動度の温度依存性」, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A201-8, 2020年3月12－15日（講演会中止）. (三菱電機(株)との共同研究）
  • 小柳 潤，喜多浩之，「ウェットPOA処理を用いて形成するp型4H-SiC (0001) MOS界面特性に与える酸素分圧及び温度による影響の考察」，2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A201-11, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • 長谷川 凛平，喜多浩之，「光照射及び低温化により生じるヒステリシスの違いによって検出されるNO-POAと水蒸気POAを行ったp型SiC MOS界面特性の違い」，2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A201-12, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • 劉 洪波，，喜多浩之，「少量のCO共存下で進行するO2及びH2Oによる熱酸化に伴う酸化膜中欠陥形成機構の考察」, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A201-14, 2020年3月12－15日（講演会中止）.
  • Tae-Hyeon Kil，喜多浩之， 「NO-POAによるSiO2/4H-SiC MOSキャパシタの異常なバンドアライメント変化とその起源 」, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会, IA-10, 2019年12月3日, 広島国際会議場，広島. (デンソー(株)との共同研究）
  • 佐俣勇祐，喜多浩之， 「異なる結晶面上の4H-SiC/SiO2窒化界面からのArアニールによるN原子脱離過程」, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会, IB-10, 2019年12月3日, 広島国際会議場，広島.
  • 喜多浩之， 「4H-SiCの水蒸気酸化反応の特徴とそのMOS界面特性に与える効果の理解」, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会, OVI-4, 2019年12月4日, , 広島国際会議場，広島, 招待講演.
  • 小柳潤，喜多浩之， 「水蒸気アニールがp型SiC MOSキャパシタのDitとVFB安定性に与える効果の雰囲気中の酸素分圧による違い」, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会, IIB-13, 2019年12月4日, , 広島国際会議場，広島.
  • Munetaka Noguchi, Toshiaki Iwamatsu, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Koji Kita, and Naruhisa Miura, "Improved Channel Characteristics of 4H-SiC MOSFETs by Sulfur Doping Based on the Understanding of Carrier Transport in Inversion Layer", 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), FA1-1, Nov 29, 2019, Sendai, invited. （三菱電機（株）との共同研究）
  • Koji Kita, "Consideration on Thermodynamics and Kinetics of SiC Thermal Oxidation in O2 and H2O", 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), FAI1-2, Nov 29, 2019, Sendai, invited.
  • Qiao Chu, Masato Noborio, Sumera Shimizu and Koji Kita, "Influences of Coexisting O2 in H2O-Annealing Ambient on Thermal Oxidation and MOS Interface Properties on 4H-SiC (1-100)", 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), FA1-3, Nov 29, 2019, Sendai. (デンソー(株)との共同研究）
  • Takashi Hamaguchi and Koji Kita, "Difference of Temperature Effects on Al2O3/SiO2 Interface Dipole Layer Strength by SiO2 Growth Methods", 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019), S6-3, Nov 20, 2019, Tokyo.
  • Jun Koyanagi and Koji Kita, "Suppression of VFB Instability of p-type 4H-SiC (0001) MOS capacitor by H2O-POA without O2 Introduction", 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019), S7-2, Nov 20, 2019, Tokyo.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Investigation of Thermal Oxidation-induced Lattice Distortion at the Surface of 4H-SiC and Its Origins", 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019), S8-2, Nov 20, 2019, Tokyo, Selected for "Best Paper Award".
  • Atsushi Tamura, Masahiro Masunaga, Shintaroh Sato, and Koji Kita, "Study on Leakage Current Conduction Mechanism at high temperature in Al2O3/SiO2/n-type 4H-SiC MOS Capacitors", 2019 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019), Tu-P-27, Oct 1, 2019, Kyoto.
  • Jun Koyanagi and Koji Kita, "Improvement of Channel Characteristics of 4H-SiC PMOSFET by Low Temperature Wet-POA with H2-annealing ", 2019 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019), Mo-P-35, Sep. 30, 2019, Kyoto.
  • Tae-Hyeon Kil and Koji Kita, "Anomalous band alignment change of SiO2/4H-SiC MOS capacitors induced by NO-POA and its possible origin", 2019 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019), Mo-2A-01, Sep. 30, 2019, Kyoto.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Physical Analysis of Remained Oxidation Byproducts as the Origins of Lattice Distortion at 4H-SiC Surface", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-E311-4, 2019年 9月20日，北海道大学，札幌.
  • 佐俣勇祐，喜多浩之， "結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からの Ar アニールによる N 原子脱離過程", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-E311-5, 2019年 9月20日，北海道大学，札幌.
  • Tae-Hyeon Kil and Koji Kita, "Significant effects on SiO2/4H-SiC band alignment induced by the difference of employed crystal face and post oxidation annealing processes", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-E311-7, 2019年 9月20日，北海道大学，札幌.
  • Takashi Hamaguchi and Koji Kita, "Investigation on the Factors to Determine the Efficiency of Energy Harvesting Method with Multilayered Dielectric Capacitors in Temperature Fluctuating Environment", 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), N-7-04, Sep 5, 2019, Nagoya.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Investigation of the Possible Origins of Lattice Distortion at the Surface of ThermallyOxidized 4H-SiC (0001) based on the Physical Analysis of Remained Byproducts", 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), K-6-05, Sep 5, 2019, Nagoya.
  • Koji Kita, Eiki Suzuki, and Qin Mao, "Nearly-Ideal Characteristics of SiO2/β- Ga2O3 MOS Capacitors Fabricated with High-Temperature O2-Annealings", The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO-3), Aug 16, 2019, Columbus, OH, USA.
  • Siri Nittayakasetwat and Koji Kita, "Experimentally Observed Temperature‐Induced Changes in Interface Dipole Layer  Strengths in high‐k /SiO2 and high‐k/high‐k Systems", 2019 International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2019), July 2, 2019, Cambridge, UK.
  • Tae-Hyeon Kil, Atsushi Tamura and Koji Kita, "Anomalous Change of Band Alignment of SiO2/4H‐SiC (0001) Stacks Induced by the Nitrogen Introduction to The  Interface", 2019 International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2019), July 1, 2019, Cambridge, UK.
  • Qin Mao, Eiki Suzuki, Atsushi Tamura, and Koji Kita, "Reduction of the density of defects at the SiO2/Ga2O3 MOS interface by the combination of high-temperature O2 annealing and low-temperature H2 annealing", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 12a-M121-5 (2019/3/12, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区).
  • 濱口 高志，喜多 浩之，「温度変動に伴う酸化膜キャパシタの蓄積電荷量の変動に対する界面ダイポール層の温度依存性の寄与の検証」 , 第66回応用物理学会春季学術講演会, 11p-M136-9 (2019/3/11, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区).
  • 小柳 潤，喜多 浩之, 「低温H2O-POAとH2-POAの組合わせによる4H-SiC pチャネルMOSFETの特性向上」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-70A-10 (2019/3/11, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区).
  • 西田 水輝，喜多 浩之，「SiO2 /4H-SiC界面窒化後のH2OアニールがMOSFET特性に与える効果」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-70A-9 (2019/3/11, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区).
  • Tae-Hyeon Kil, Atsushi Tamura, and Koji Kita, "An anomalous negative shift of flat-band voltage of NO annealed SiO2/4H-SiC MOS capacitors"，第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-70A-8 (2019/3/11, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区).
  • 田村 敦史，増永 昌弘，佐藤 慎太郎，喜多 浩之 「Al2O3/SiO2/n型4H-SiC MOSキャパシタの高温領域におけるリーク電流の伝導機構の検討」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-70A-5 (2019/3/11, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区)，(株)日立製作所との共同発表。
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Similarity and Difference of the Impact of Ion Implantation and Thermal Oxidation on the Lattice Structure of 4H-SiC Surfaces"，第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-70A-4 (2019/3/11, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区).
  • 野口 宗隆（三菱電機），岩松 俊明，網城 啓之，渡邊 寛，喜多 浩之，三浦 成久， 「深い準位を有するドナー添加がSiC MOSFETチャネル特性へ及ぼす効果」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-70A-8 (2019/3/11, 東京工業大学大岡山キャンパス，目黒区)，三菱電機(株)との共同発表。
  • 濱口高志， "酸化膜キャパシタを用いた温度変動下での環境発電に与える界面ダイポール層強度の温度依存性の効果"，応物学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（2019/1/25 東レ総合研修センター， 三島市）。
  • Koji Kita, "Formation of Interface Dipole Layers between Two Dielectrics: Considerations on Physical Origins and Opportunities to Manipulate Its Strength",
    SEMI Technology Symposium, S2 Advanced Materials & Technologies for Emerging Devices, SEMICON Korea (Jan 23, 2019, Seoul, Korea), invited.
  • M. Noguchi, T. Iwamatsu, H. Amishiro, H. Watanabe, K. Kita and N. Miura, "Channel engineering of 4H-SiC MOSFETs using sulfur as a deep level donor", 2018 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2018) 8.3 (Dec. 3, 2018, San Francisco, CA, USA), 三菱電機(株)との共同研究成果.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "熱酸化により4H-SiC（0001）表面に誘起される格子歪みの原因に関する動力学的な考察 (Consideration on Possible Origins of Thermal-oxidation-induced Lattice Distortion at the Surface of 4H-SiC (0001) through its Kinetic Study)", 第5回先進パワー半導体分科会 講演会, IA-21 (2018/11/6 京都テルサ，京都市).
  • Eiki Suzuki and Koji Kita, "Impact of O2 Annealing on Chemical State of Ga at SiO2/β-Ga2O3 Interface", 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures / 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ACSIN-14/ICSPM26), 22Ｅ15 (Oct. 22, 2018, Sendai).
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Introduction and Recovery of Thermal-oxidation-induced Lattice Distortion at the Surface of 4H-SiC (0001)", 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures / 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ACSIN-14/ICSPM26), 25D14 (Oct. 25, 2018, Sendai).
  • Koji Kita, Mizuki Nishida, Ryota Sakuta, and Hirohisa Hirai, "Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Density by Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation", 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES2018), ECS & SMEQ Joint International Meeting, in Symposium D01 "Semiconductor, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 16" (Oct. 2, 2018, Cancun, Mexico).
  • Koji Kita and Adhi Dwi Hatmanto, "Significant Structural Distortion in the Surface Region of 4H-SiC Induced By Thermal Oxidation and Recovered By Ar Annealing", 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES2018), ECS & SMEQ Joint International Meeting, in Symposium H05 "Gallium Nitride and SIlicon Cabide Power Technologies" (Oct. 3, 2018, Cancun, Mexico).
  • Qiao Chu, Kensaku Yamamoto, Sumera Shimizu, Koji Kita, "Effects of wet-POA with various conditions on 4H-SiC m-face MOS interface properties", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-141-4 (2018/9/20, 名古屋国際会議場，名古屋市).
  • 鈴木 叡輝，西田 水輝，喜多 浩之, "SiO2/β-Ga2O3 MOS界面特性に与えるO2アニール効果の検討", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-331-3 (2018/9/21, 名古屋国際会議場，名古屋市).
  • 濱口 高志，喜多 浩之, "温度変動による界面ダイポール層強度の変化の環境発電への応用可能性の検討", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-145-10 (2018/9/21, 名古屋国際会議場，名古屋市).
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Recovery of Local Lattice Distortion at the Surface of Thermally-Oxidized 4H-SiC (0001) by Post-Oxidation Annealing", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), D-2-02 (Sep.11, 2018, Tokyo).
  • Mizuki Nishida, Ryota Sakuta, Hirohisa Hirai, and Koji Kita, "Reduction of SiO2/4H-SiC Interface Defects by H2O-PostNitridation-Annealing", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), D-2-04 (Sep.11, 2018, Tokyo).
  • Jun Koyanagi, Mizuki Nishida, and Koji Kita, "Significant Improvement of p-type 4H-SiC MOS Interface Characteristics by Low Temperature Post-Oxidation Annealing in H2O + O2 Ambient ", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), D-2-05 (Sep.11, 2018, Tokyo).
  • Takashi Hamaguchi, Siri Nittayakasetwat, and Koji Kita, "Study on interface dipole layer strength change by temperature in high-k/SiO2 and high-k/high-k systems and its possible origin ", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), B-5-01 (Sep.12, 2018, Tokyo).
  • Siri Nittayakasetwat, and Koji Kita, "Consideration on the effective dipole length in Al2O3/SiO2 and Y2O3/SiO2 interface dipole layers via temperature dependences of their dipole strength ", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), PS-1-31(Late News)(Sep.13, 2018, Tokyo).
  • Mizuki Nishida, Ryota Sakuta, Hirohisa Hirai, Koji Kita, "Combination of NO-annealing with H2O-annealing at low temperature to reduce SiO2/4H-SiC (0001) interface defect density", 2018 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), TU.01a.04. (Sep.4, 2018, Birmingham, UK).
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Introduction and recovery of local lattice distortion at the surface of thermally-oxidized 4H-SiC (0001)", 2018 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), WE.02b.02. (Sep.5, 2018, Birmingham, UK).
  • 作田良太，西田水輝，平井悠久，喜多浩之 「窒化処理後に低温ウェット酸化処理をした4H-SiC MOS構造における界面準位密度とウェット酸化膜成長量の関係性」 第65回応用物理学会春季学術講演会，20p-D103-1（早稲田大学 西早稲田キャンパス，3/20/2018).
  • 西田水輝，作田良太，平井悠久，喜多浩之 「Photo-assisted CV測定で評価するNITにみるNO-POAとwet-POA界面特性の違い」 第65回応用物理学会春季学術講演会，20p-D103-2（早稲田大学 西早稲田キャンパス，3/20/2018).
  • 小柳 潤，平井悠久，喜多浩之 「SiC MOSキャパシタにおけるバイアス印加時のVFB安定性に低温ウェット酸化が与える効果」 第65回応用物理学会春季学術講演会，20p-D103-3（早稲田大学 西早稲田キャンパス，3/20/2018).
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Thermal-oxidation-induced lattice distortion at 4H-SiC (0001) surface and its recovery by Ar annealing", 第65回応用物理学会春季学術講演会，20p-D103-8（早稲田大学 西早稲田キャンパス，3/20/2018).
  • 濱口高志，喜多浩之 「Al2O3/SiO2, MgO/SiO2, MgO/Al2O3各界面におけるダイポール起因のVFBシフトの温度依存性の違い」 第65回応用物理学会春季学術講演会，17a-F206-9（早稲田大学 西早稲田キャンパス，3/17/2018).
  • Hironobu Kamata and Koji Kita, "Demonstration of a large Vfb shift induced by selectively formed multiple dipole layers in Al2O3/SiO2 laminated dielectric stacks," 48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2017), 12.1 (Dec. 9, 2017, San Diego, CA, USA).
  • Hirohisa Hirai, Kei Ishinoda and Koji Kita, "Control of thermal oxidation of 4H-SiC (0001) to enhance MOSFET channel mobility by tuning partial pressures of oxidants (O2 and H2O) and oxidation temperature," 48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2017), 5.17 (Dec. 7, 2017, San Diego, CA, USA).
  • M. Noguchi, T. Iwamatsu, H. Amishiro, H. Watanabe, K. Kita and S. Yamakawa, "Determination of intrinsic phonon-limited mobility and carrier transport property extraction of 4H-SiC MOSFETs", 2017 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2017) 9.3, pp. 219-222 (Dec. 4, 2017, San Francisco, CA, USA), 三菱電機(株)との共同研究成果.
  • Ryota Sakuta, Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Change of SiO(N) Thermal Growth Kinetics and Element Distribution on 4H-SiC by Foreign Elements (La and N) Introduction", 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF), S8-1 (Nov. 22, 2017, Todaiji Temple Cultural Ceter, Nara).
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "In-Plane X-ray Diffractometry Study on Thermal Oxidation-induced Anomalous Lattice Distortion at 4H-SiC Surfaces", 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF), S8-2 (Nov. 22, 2017, Todaiji Temple Cultural Ceter, Nara).
  • Mizuki Nishida, Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Evaluation of Deep Trap and Near-interface Oxide Trap Density at SiO2/SiC Interface by Photo-assisted CV Measurement", 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF), S8-4 (Nov. 22, 2017, Todaiji Temple Cultural Ceter, Nara).
  • Siri Nittayakasetwat and Koji Kita, "Temperatures Induced Anomalous Change in Effective Charges of Al2O3/SiO2 Interface Dipole Layer", 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF), S5-2 (Nov. 21, 2017, Todaiji Temple Cultural Ceter, Nara).
  • Mykhailo Pankieiev and Koji Kita, "Effect of Fluorine Addition to the Ferromagnetic Interface on the PMA and its Voltage Control", IEEE 62nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2017), FF-05 (Nov. 9, 2017, Pittsburgh, PA, USA).
  • 平井悠久，喜多浩之 「4H-SiC熱酸化に伴う基板表面領域における酸素原子侵入とそれに対する酸化条件の影響」， 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第4回講演会，IIB-10 (名古屋国際会議場，名古屋，11/2/2017).
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Lattice Distortion Existing Locally on the Surface of Thermally Oxidaized 4H-SiC (0001)", 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第4回講演会， IA-15 (名古屋国際会議場，名古屋，11/1/2017).
  • 作田良太，平井悠久，喜多浩之 「異種元素導入（La, N）による4H-SiC上のSiO(N)成長速度と元素分布の変化」， 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第4回講演会， IA-6 (名古屋国際会議場，名古屋，11/1/2017).
  • Koji Kita and Hironobu Kamata, "Demonstration of Large Flatband Voltage Shift by Designing Al2O3/SiO2 Laminated Structures with Multiple Interface Dipole Layers", 232nd The Electrochemical Society (ECS) Meeting, D01-863 (Oct. 6, 2017, National Harbor, MD, USA).
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, and Kei Ishinoda, "Difference of Near-Interface SiO2 Structures between O2-oxidation and H2O-oxidation of 4H-SiC (0001) and Its Impact on MOS Interface Characteristics", 232nd The Electrochemical Society (ECS) Meeting, D01-863 (Oct. 4, 2017, National Harbor, MD, USA).
  • Hirohisa Hirai, Kei Ishinoda and Koji Kita, "Interface-Selective Low-Temperature Wet-O2 Annealing to Enhance 4H-SiC (0001) MOSFET Mobility by Improving Near Interface SiO2 Quality", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), FR.C1.2 (Sep. 22, 2017, Washington DC，USA）.
  • Koji Kita, Hironobu Kamata, and Jiayang Fei, "Interface Dipole Layers between Two Dielectrics: Considerations on Physical Origins and Opportunities to Control Their Formation", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), K-1-01 (Sep. 20, 2017, Sendai International Center，Sendai）, invited.
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Consideration on the interfacial dipole layer formation at non-SiO2 oxide interfaces in the examples of MgO/Al2O3 and HfO2/Al2O3", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), K-1-03 (Sep. 20, 2017, Sendai International Center，Sendai）.
  • Mykhailo Pankieiev and Koji Kita, "High Electronegativity Element Compounds as Way of Increasing Ferromagnetic Interface PMA and its Voltage Control ", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), PS-12-03 (Sep. 20, 2017, Sendai International Center，Sendai）.
  • Kei Ishinoda and Koji Kita, "Kinetics of Enhanced Oxide Growth on 4H-SiC in O2 and H2O Coexisting Ambient", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), O-1-03 (Sep. 20, 2017, Sendai International Center，Sendai）.
  • Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita, "Oxidation-induced Lattice Distortion at 4H-SiC (0001) Surface Characterized by Surface Sensitive In-plane X-ray Diffractometry", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), O-1-04 (Sep. 20, 2017, Sendai International Center，Sendai）.
  • 西田水輝，喜多浩之 「4H-SiC MOSキャパシタにおける遅い欠陥準位の光照射により観測されるC-V特性ヒステリシス解析による評価 」 第78回応用物理学会秋季学術講演会 5a-A203-7 (福岡国際会議場，福岡市，9/5/2017）.
  • Siri Nittayakasetwa, Hironobu Kamata and Koji Kita, "Anomalous temperature dependence of dipole layer strength at the Al2O3/SiO2 interface", 第78回応用物理学会秋季学術講演会 5p-C11-3 (福岡国際会議場，福岡市，9/5/2017）.
  • 鎌田啓伸，喜多浩之 「Al2O3/SiO2界面のダイポール層の生成・抑制の制御 -界面の組成急峻性の与える効果- 」 第78回応用物理学会秋季学術講演会 5p-C11-2 (福岡国際会議場，福岡市，9/5/2017）.
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Opportunity of dipole layer formationat non-SiO2 dielectric interfaces in two cases: multi-cation systems and multi-anion systems", 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) (Jun 29, 2017, Potsdom, Germany).
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, Hiroyuki Kajifusa, Kohei Kuroyama and Kei Ishinoda, "Investigation of Origins of the Critically Different MOS Interface Characteristics between Dry-oxidized and Wet-Oxidized Silicon Carbide", 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) (Jun28, 2017, Potsdom, Germany).
  • Weidong Li and Koji Kita, "Enhancement of Interface Anisotropy Energy by Fluoride Introduction at CoFeB/Al2O3 and CoFeB/MgO Interfaces", SPINTECH-IX International School and Conference 2017 (Jun4-8, 2017, Fukuoka International Congress Center, Fukuoka).
  • 作田良太，平井悠久，喜多浩之 「希土類元素存在下でのSiC/SiO2界面での酸窒化の促進 」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-7 (パシフィコ横浜，横浜市，3/17/2017）.
  • 平井悠久，喜多浩之 「O2共存H2O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による4H-SiC MOSFET移動度の向上 」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-5 (パシフィコ横浜，横浜市，3/17/2017）.
  • 石野田圭，喜多浩之 「酸化レートの変化からみた4H-SiC Si面ウェット酸化雰囲気中に共存する酸素の役割」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-4 (パシフィコ横浜，横浜市，3/17/2017）.
  • 梶房裕之，喜多浩之 「4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-3 (パシフィコ横浜，横浜市，3/17/2017）.
  • 黒山滉平，平井悠久，山本建策，林 真理子，細川 徳一，喜多浩之 「4H-SiC m面上にドライ+ウェット酸化プロセスにより形成されたMOS界面の界面準位密度および電気的ストレスに対する安定性のウェット酸化条件による変化」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-2 (パシフィコ横浜，横浜市，3/17/2017）.
  • 李為東，喜多浩之 "Effects of nitride and fluoride introduction on perpendicular anisotropy at CoFeB/Oxides interfaces", 第64回応用物理学会春季学術講演会 17a-501-3 (パシフィコ横浜，横浜市，3/17/2017）.
  • 喜多浩之 「4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計」 第64回応用物理学会春季学術講演会 16p-502-3 (パシフィコ横浜，横浜市，3/16/2017），招待講演.
  • 鎌田啓伸，喜多浩之 「Al2O3/SiO2界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討」 第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-413-11 (パシフィコ横浜，横浜市，3/16/2017）.
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO2 dielectric interface - MgO/Al2O3"第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-413-12 (パシフィコ横浜，横浜市，3/16/2017）.
  • 鎌田啓伸，喜多浩之， "ダイポール層の選択的発現を利用したAl2O3/SiO2の繰り返し構造における大きなフラットバンド電圧シフト"， 応用物理学会 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 」第22回研究会， pp.9-12 （東レ総合研修センター，三島市，1/20/2017）.
  • 平井悠久，喜多浩之， ” ウェット酸化雰囲気に共存する酸素の効果の理解に基づく4H-SiC 各結晶面のウェット酸化プロセスの設計,” 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第３回講演会 P-92 (つくば国際会議場，つくば市，11/8/2016）.
  • 梶房裕之，喜多浩之， ”4H-SiC C 面(000-1)のドライ及びウェット酸化条件によるMOS 界面特性への影響の理解”， 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第３回講演会 P-93 (つくば国際会議場，つくば市，11/8/2016）.
  • 黒山 滉平，平井 悠久，山本 建策，林 真理子，喜多 浩之， ”4H-SiC m 面ウェット酸化によるMOS 界面の電気特性と界面近傍SiO2 微視的構造の特徴の相関”， 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第３回講演会 P-102 (つくば国際会議場，つくば市，11/8/2016）.
  • Koji Kita and Hirohisa Hirai, "Impact of Sacrificial Cosumption of Substrate By Thermal Oxidation on Electron Mobility of 4H-SiC MOSFETs", Pacific Rim Meeting on Electrochemcal and Solid State Science / 230th ECS Meeting, "Symposium G02-Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 14" (Oct. 5, 2016, Honolulu, HI).
  • Koji Kita, " Opportunities to Design Thermal Oxidation and Post-Oxidation Processes to Control 4H-SiC MOS Interface Characteristics", 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-3-01 (Sep. 28, 2016, Tsukuba), invited.
  • Hiroyuki Kajifusa and Koji Kita, "Study on the Guideline to Control Dry and Wet Oxidation Conditions to Improve 4H-SiC (000-1) C-face MOS Interface Characteristics," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-1-02 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita," Impacts on 4H-SiC MOSFET Mobility of High Temperatue Annealing in Oxidizing Or Inert Ambient before Gate Oxide Growth," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-1-03 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • Hironobu Kamata and Koji Kita,"Design of Al2O3/SiO2 Laminated Stacks with Mutiple Interface Dipole Layers to Induce Large Flatband Voltage Shifts of MOS Capacitors," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), O-1-03 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe and Koji Kita,"Study on Dipole Layer Formation and its Origin at Al2O3/AlFxOy and Al2O3/AlNxOy Multi-anion Dielectric Interfaces by considering Anion Areal Density and Valence Differences," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), O-1-05 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • 平井悠久，喜多浩之， ” 酸化性および還元性雰囲気におけるゲート酸化膜成長前の高温熱処理がSiC MOSFET移動度に与える影響,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-C302-1 (朱鷺メッセ，新潟市，9/16/2016）， 講演奨励賞受賞記念講演.
  • 梶房裕之，喜多浩之， ” ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-C302-2 (朱鷺メッセ，新潟市，9/16/2016）.
  • 黒山 滉平，平井 悠久，山本 建策，林 真理子，喜多 浩之， ”界面近傍のSiO2微視的構造とMOS界面の電気特性から見た4H-SiC m面のウェット酸化により形成されたMOS界面の特徴”， 第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-C302-3 (朱鷺メッセ，新潟市，9/16/2016）.
  • Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe, and Koji Kita, "Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions (Fluorine, Oxygen and Nitrogen)," 第77回応用物理学会秋季学術講演会 15a-B9-6 (朱鷺メッセ，新潟市，9/15/2016）.
  • 喜多浩之， "4H-SiCの熱酸化過程の理解に基づくMOS特性の制御とその課題"，第35回電子材料シンポジウム(EMS-35) （7月7日，守山市），招待講演.
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, Yuki Fujino and Hiroyuki Kajifusa, "Control of SiC thermal oxidation processes for the improvement of MOSFET performance", 229th Meeting of the Electrochemical Society, (May 29, 2016, San Diego, CA), invited.
  • 大石竜輔，喜多浩之，"Different effects between Al- and Zr-insertion on voltage control of PMA at CoFeB/oxide interface," 第63回応用物理学会春季学術講演会 22a-W241-3 (東京工業大学 大岡山キャンパス，目黒区，3/22/2016）.
  • 黒山 滉平，平井 悠久，山本 建策，金村 髙司，喜多 浩之 「4H-SiC m面上に形成された熱酸化膜の界面近傍における微視的構造の特徴の赤外分光法による解析 」 第63回応用物理学会春季学術講演会 21a-H101-4 (東京工業大学 大岡山キャンパス，目黒区，3/21/2016）.
  • 平井悠久，作田良太，喜多浩之 「4H-SiC MOSFET移動度に対する熱酸化による基板特性劣化とダメージ層除去効果の競合 」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-H101-16 (東京工業大学 大岡山キャンパス，目黒区，3/20/2016）.
  • 梶房裕之，喜多浩之 「4H-SiC C面における高温・低O2分圧下ドライ酸化によるMOS界面特性の制御」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-H101-15 (東京工業大学 大岡山キャンパス，目黒区，3/20/2016）.
  • 藤野雄貴，喜多浩之 「4H-SiC MOSキャパシタ界面近傍における電子と正孔の膜中トラップ密度分布の比較」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-H101-14 (東京工業大学 大岡山キャンパス，目黒区，3/20/2016）.
  • 鎌田啓伸，喜多浩之 「Al2O3/SiO2界面のダイポール層の繰り返し構造を利用した大きなフラットバンド電圧シフト(>1 V) 」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-7 (東京工業大学 大岡山キャンパス，目黒区，3/20/2016）.
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Anomalous Flatband Voltage Shift of AlFxOy/Al2O3 MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions", 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-6 (東京工業大学 大岡山キャンパス，目黒区，3/20/2016）..
  • Ryusuke Oishi and Koji Kita, "Enhancement of voltage-induced magnetic anisotropy
    change by preventing ferromagnetic surface oxidation in CoFeB/Al2O3 and CoFeB/ZrO2 stacks", 2016 Joint MMM (Magnetism and Magnetic Materials) -Intermag Conference, EG-09 (Jan 14，2016, San Diego, CA, USA).
  • 平井悠久, 喜多浩之, "４H-SiC/SiO2界面に対する高温ドライ酸化および高温希釈水素POAの効果", 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第2回講演会 VII-2 (大阪国際交流センター（大阪市），11/10/2015), 奨励賞受賞記念講演.
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Chemically Reactive and Non-Reactive Oxide/SiO2 Interfaces", 2015 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF2015) (Nov 2, 2015, Tokyo).
  • Yuki Fujino and Koji Kita, "Quantitative Characterization of Near-Interface Oxide Traps in 4H-SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements”, 228th Meeting of the Electrochemical Society (Oct. 12, 2015, Phoenix, USA).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, “Extraction of electron effective mobility of 4H‐SiC MOS inversion channel with thermally‐grown SiO2 by high‐frequency split C‐V technique“, 2015 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015) (Oct 6, 2015, Giardini Naxos, Italy).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai,Combination of High‐temperature Oxidation and Low‐temperature O2‐Annealing toward Nearly‐Ideal MOS Characteristics on 4H‐SiC (0001)”, 2015 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015) (Oct 4, 2015, Giardini Naxos, Italy).
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Understanding on the Impact of Interface Reactions on Dipole Strengths at MgO/SiO2 and Y2O3/SiO2 Interfaces", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 29, 2015, Sapporo).
  • Yuki Fujino and Koji Kita, "Characterization of Near-Interface Oxide Trap Density in SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements at Various Temperatures", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 29, 2015, Sapporo).
  • Hiroyuki Kajifusa and Koji Kita, "Removal of Near-Interface Oxide Traps at SiO2/SiC Interface by Post-Oxidation Annealing in Reducing Ambient", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 29, 2015, Sapporo).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Effects of High-Temperature Diluted-H2 Annealing
    on Effective Mobility of 4H-SiC MOSFETs with Thermally-Grown SiO2", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 28, 2015, Sapporo).
  • 大石竜輔，喜多浩之, 「CoFeB/MOx 界面磁気異方性の電界応答に界面の化学状態が与える影響 （Effects of Chemical States at Interface on Electric Field Effects of CoFeB/MOx stacks )」 第76回応用物理学会秋季学術講演会 14a-2J-3 （名古屋国際会議場（名古屋市)，9/14/2015).
  • 藤野雄貴，喜多浩之, 「容量の過渡応答(C-t 特性)に基づくSiC MOS 界面近傍の膜中への捕獲電荷に起因した緩和現象の理解 」 第76回応用物理学会秋季学術講演会 16a-1A-6 （名古屋国際会議場（名古屋市)，9/16/2015).
  • 大石竜輔，喜多浩之, 「CoFeB と遷移金属酸化物MOx の界面磁気異方性の電界応答性に遷移金属元素M の性質が与える影響 （Effects of Transition Metal Oxide on Voltage Control ofMagnetic Anisotropy of CoFeB/MOx Stacks)」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-D11-6 （東海大学（平塚市)，3/13/2015).
  • 平井悠久，喜多浩之, 「4H -SiC 面内MOSFET上の dry 酸化界面における電界効果移動度と実効移動度の乖離」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-B4-3 （東海大学（平塚市)，3/13/2015).
  • 菊地リチャード平八郎，喜多浩之, 「低温酸素アニールによるSiO2/4H-SiC (0001) 界面準位密度の増減機構の理解と制御」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-B4-2 （東海大学（平塚市)，3/13/2015).
  • 藤野雄貴，菊地リチャード平八郎，喜多浩之, 「種々の温度における容量の過渡応答(C-t特性)に基づくSiC MOS界面近傍の膜中トラップ密度の定量化」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-B4-1 （東海大学（平塚市)，3/13/2014).
  • 平井悠久，喜多浩之, 「赤外分光法によるSiC熱酸化膜界面におけるSiO2構造変化と副生成物形成の観察」 第20回ゲートスタック研究会 －材料・プロセス・評価の物理- （応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会報告） pp.133-136 （三島，1/30/2015).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Infrared Spectroscopic Study on Near-Interface Structure of THermally-Grown Oxides and Oxidation-Induced Byproducts at 4H-SiC/SiO2 Interface", 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (Dec 10, 2014, San Diego, USA).
  • 喜多浩之， 菊地リチャード平八郎，平井悠久，藤野雄貴 「理想的なSiC MOS特性の実現を目指した熱酸化プロセスの設計」 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回講演会 pp.18-19 (名古屋, 11/20/2014)，招待講演.
  • 菊地リチャード平八郎，喜多浩之, 「SiO2/SiC界面準位密度低減のための酸素アニール条件選択の重要性」 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回講演会 pp.126-127 (名古屋, 11/19/2014).
  • 平井悠久，喜多浩之, 「4H-SiC/SiO2界面に低温O2酸化によって形成される酸化副生成物の赤外分光法による解析」 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回講演会 pp.130-131 (名古屋, 11/19/2014).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai, "Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density", 226th ECS Meeting (Oct. 6, 2014, Cancun, Mexico).
  • 大石竜輔，喜多浩之 「CoFeB/MOx界面磁気異方性とその電界応答性の変化に与える金属元素Mの選択の効果」 第75回 応用物理学会秋季学術講演会 19a-S2-1（2014年9月19日，北海道大学（札幌）.
  • 藤野雄貴，菊地リチャード平八郎，平井悠久，喜多浩之 「SiC MOS界面近傍の膜中欠陥モデルを用いた容量の過渡応答による遅い準位の定量的解析手法の提案」 第75回 応用物理学会秋季学術講演会 17p-A17-2（2014年9月17日，北海道大学（札幌））.
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Reduction of Defect State Density at SiO2/SiC Interface Formed by the Thermal Oxidation Accompanied with Direct CO Generation", 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) (Sep 11, 2014, Tsukuba).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Generation and Suppression of Oxidation Byproducts at 4H-SiC C-face/SiO2 Interface Characterized by Infrared Spectroscopy", 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) (Sep 10, 2014, Tsukuba).
  • Yuki Fujino, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Quantitative Characterization of Border Traps with Widely-Spread Time Constant in SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements", 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) (Sep 10, 2014, Tsukuba).
  • 平井悠久，喜多浩之 「4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違」 電子情報通信学会SDM研究会/応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第173回研究会 （2014年6月19日，名古屋大学），依頼講演.
  • Koji Kita, "Achievement of Nearly-Ideal MOS Characteristics on 4H-SiC (0001) Based on Kinetic and Thermodynamic Control of Thermal Oxidation", The 18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM2014) (Jun 10, 2014, Kinsale, Ireland), invited.
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai, "Understanding of Growth Kinetics of Thermal Oxides on 4H-SiC (0001) for Control of MOS Characteristics", 225th ECS Meeting (May 12, 2014, Orlando, USA), invited.
  • 平井悠久，喜多浩之 「4H-SiC(000-1)C 面におけるwet 酸化界面構造の雰囲気による相違」 第61回 応用物理学会春季学術講演会 18a-E5-3（2014年3月18日，青山大学（相模原））.
  • 菊地リチャード平八郎，喜多浩之 「熱力学および速度論的知見に基づく低界面欠陥密度4H-SiC(0001) MOS の実現」 第61回 応用物理学会春季学術講演会 18a-E5-2（2014年3月18日，青山大学（相模原））.
  • 喜多浩之，菊地リチャード平八郎，平井悠久，藤野雄貴「４H-SiC 表面酸化機構の酸化温度と酸素分圧による違いの理解」 第61回 応用物理学会春季学術講演会 18a-E5-1（2014年3月18日，青山大学（相模原））.
  • 菊地リチャード平八郎，平井悠久，喜多浩之, 「薄膜領域における４H-SiC熱酸化膜形成機構の理解 - Road to carbon-free MOS interface -」 第19回ゲートスタック研究会 －材料・プロセス・評価の物理- （応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会報告） pp.89-92 （熱海，1/24/2014).
  • 平井悠久，喜多浩之, 「面方位に依存した4H-SiC熱酸化膜の界面近傍での構造変化」 SiC 及び 関連半導体研究 第22回講演会 pp.92-93 (さいたま, 12/11/2013).
  • 菊地リチャード平八郎，喜多浩之, 「SiC熱酸化過程の理解とドライ酸化プロセスの制御によるMOS特性の改善」 SiC 及び 関連半導体研究 第22回講演会 pp.162-163 (さいたま, 12/11/2013).
  • Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Koji Kita, "Understanding of Growth Kinetics and Microscopic Structures of Nanometer-Thick Thermal Oxides on 4H-SiC", International Workship on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2013 IWDTF), pp.107-108 (Nov. 8, 2013, Tokyo).
  • Jiro Koba and Koji Kita, "Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides", 224th ECS Meeting, in symposium E5 Nonvolatile Memories 2 (Oct. 31, 2013, San Francisco).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "FTIR-ATR Study on Near-Interface Structure of Thermal Oxides on 4H-SiC Substrates", 224th ECS Meeting, in symposium E10 Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 11 (Oct. 30, 2013, San Francisco).
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Re-investigation of the Post-oxidation Effects on 4H-SiC MOS Interface with High-Temperature Thermal Oxide", Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), p234 (Oct 2, 2013, Miyazaki).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Structural Difference between Near Interface Oxides Grown on Si and C Faces of 4H-SiC Characterized by FTIR-ATR Method", Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), p114 (Oct 1, 2013, Miyazaki).
  • Jiro Koba and Koji Kita, "Voltage–Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy in TiOx/CoFeB/Ta", Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), pp. 802-803 (Sep 25, 2013, Fukuoka).
  • 古場治朗，喜多浩之 「TiOx/CoFeB/Taスタックの磁気異方性の電界による不揮発な制御の実証」 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 19p-C15-6（2013年9月19日，同志社大学（京田辺））.
  • 菊地リチャード平八郎，喜多浩之 「４H-SiC熱酸化膜の薄膜領域(<10nm)における直線的な成長過程の検証」 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 17a-B3-6（2013年9月17日，同志社大学（京田辺））.
  • 平井悠久，喜多浩之 「4H-SiC熱酸化膜の界面近傍の構造変化に対する面方位と酸化雰囲気の効果」 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 19p-C15-5（2013年9月17日，同志社大学（京田辺））.
  • Koji Kita, "Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ferromagnetic/Dielectric Stacks", Collaborative Conference on Material Research 2013 (CCMR2013) (Jun 25, 2013, Jeju, Korea), invited.
  • 平井悠久，喜多浩之 「4H-SiC熱酸化膜におけるFTIR-ATRピーク位置の膜厚依存変化とその因子」 第60回 応用物理学会春季学術講演会 28a-G22-13（2013年3月28日，神奈川工科大学（厚木））.
  • 栗原隆帆，古場治朗，宮川成人，喜多浩之 「MOx/CoFeB界面磁気異方性の様々なMに対して普遍的な電圧応答」 第60回 応用物理学会春季学術講演会 29a-A8-2（2013年3月29日，神奈川工科大学（厚木））.
  • 宮川成人，栗原隆帆，喜多浩之 「誘電体/CoFeB界面の磁気異方性とその電圧応答に与える誘電体中アニオン種の効果」， 第60回 応用物理学会春季学術講演会 29a-A8-3（2013年3月29日，神奈川工科大学（厚木））.
  • Naruto Miyakawa, Daniel C. Worledge, and Koji Kita, "Enhanced Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ta/CoFeB/MgO by Suppression of Ta Diffusion and CoFeB Surface Oxidation", 12th Joint MMM/Intermag Conference, BF-02 (Chicago, IL, 1/15/2013).
  • Jiro Koba, Takaho Kuribara, Naruto Miyakawa, and Koji Kita, "Characterization of Voltage Control of Magnetic Anisotropy up to 8 MV/cm by Using Substrate Bias Structure", 12th Joint MMM/Intermag Conference, BF-05 (Chicago, IL, 1/15/2013).
  • 平井悠久，喜多浩之, 「4H-SiC/SiO2とSi/SiO2界面近傍におけるSi酸化物の微視的構造の相違」 シリコンカーバイド（SiC）及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回SiC講演会 (大阪, 11/19/2012).
  • Koji Kita and D. C. Worledge, "Challenges and Opportunities in Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ultrathin Ferromagnetic Metals for Future Spintronics",International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN2012) (Brisbane, Australia, 10/22/2012), invited.
  • S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi, "Interface Dipole Concellation in SiO2/High-k/SiO2/Si Gate Stacks", 2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), (Honolulu, HI, 10/9/2012).
  • W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi, "Conduction Band-offset in GeO2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy", 2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), (Honolulu, HI, 10/9/2012).
  • Jiro Koba, Takaho Kuribara, Naruto Miyakawa, and Koji Kita, "Voltage Control of Magnetic Anisotropy of CoFeB Thin Films Stacked with Various Oxides", 2nd Int. Conf. of Asian Union of Manetics Societies (ICAUMS2012), (Nara, 10/05/2012).
  • Naruto Miyakawa, D. C. Worledge, and Koji Kita, "Study on Interface Magnetic Anisotropy Deterioration Mechanisms in Ta/CoFeB/MgO stacks", 2012 Int. Conf. on Solid State Device and Physics (SSDM), (Kyoto, 09/27/2012).
  • 宮川成人，D.C. Worledge, 喜多浩之 「CoFeB 表面酸化量による磁気異方性エネルギーの電界応答性の違い」 第73回秋季 応用物理学術講演会，2012年9月13日 （松山）
  • 古場治朗，栗原隆帆，宮川成人，喜多浩之 「CoFeB薄膜の磁気異方性およびその電界制御性の酸化物による違い」 第73回秋季 応用物理学術講演会，2012年9月13日 （松山）
  • 平井悠久, 喜多浩之 「FT-IR測定による4H-SiC表面の極薄熱酸化膜の構造評価」第73回秋季 応用物理学術講演会，2012年9月12日 （松山）
  • 小橋啓史，喜多浩之，「ECセル用Ta2O5薄膜へのプロトン導入法による導電性の変化」 電気化学会 第79回大会 3I-21 （2012年3月31日，アクトシティ浜松（浜松））
  • 喜多浩之，D. W. Abraham, M. J. Gajek, D. C. Worledge，「Ta/CoFeB/HfO2スタックの垂直磁気異方性とその電圧印加による制御」 第59回 応用物理学関係連合講演会 （2012年3月18日，早稲田大学（東京））
  • 宮川成人，D. W. Abraham, M. J. Gajek, D. C. Worledge，喜多浩之 「Ta/CoFeB/MgOスタックにおけるCoFeB表面還元がもたらす垂直磁気異方性の増大」 第59回 応用物理学関係連合講演会 （2012年3月18日，早稲田大学（東京））
  • K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, "Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology", 39th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-39), we1400 (SantaFe, NM, 1/25/2012) invited.
  • 喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明， 「CMOS ゲートスタック応用へ向けたGeO2/Ge 界面反応の理解」 第31回表面科学 学術講演会，p.172 （2011年12月17日，東京都江戸川区），招待講演.
  • Koji Kita, D. W. Abraham, M. J. Gajek, and D. C. Worledge, "ElectricElectric-field Induced Change of Magnetic Anisotropy in CoFeB/Oxide Stacks", 56th Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM)（Scottsdale, AZ, 11/02/2011).
  • K. Kita and A. Toriumi, "Study on Dipole Layer Formation between Two Oxides : Experimental Evidences and Possible Models", 2011 MRS Spring Meeting (San Francisco, CA, 04/27/2011), invited.
喜多准教授のさらに古い発表の記録については，鳥海研究グループの研究成果も御覧ください。，
 
 東京大学大学院新領域創成科学研究科 喜多研究室