東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 喜多研究室
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研究成果・発表
喜多研究室 ・ 今後の発表予定

Sep 19-22 : International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM2017), Sendai,喜多准教授 招待講演予定

喜多研究室 ・ 最近の研究成果発表

<論文発表>
  • Jiayang Fei and Koji Kita, “Opportunity of dipole layer formation at non-SiO2 dielectric interfaces in two cases: Multi-cation systems and multi-anion systems”, Microelectronic Engineering, 178, 225-229 (2017).
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, Hiroyuki Kajifusa, Kohei Kuroyama, Kei Ishinoda“Investigation of origins of the critically different MOS interface characteristics between dry-oxidized and wet-oxidized silicon carbide”, Microelectronic Engineering, 178, 186-189 (2017).
  • Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe and Koji Kita, “Anomalous flatband voltage shift of AlFxOy/Al2O3 MOS capacitors: A consideration on dipole layer formation at dielectric interfaces with different anions”, Appl. Phys. Lett. 110, 162907 (2017), 早稲田大との共同研究
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, “Difference of near-interface strain in SiO2 between thermal oxides grown on 4H-SiC by dry-O2 oxidation and H2O oxidation characterized by infrared spectroscopy”, Appl. Phys. Lett. 110, 152104 (2017).
  • Hironobu Kamata and Koji Kita, “Design of Al2O3/SiO2 laminated stacks with multiple interface dipole layers to achieve large flatband voltage shifts of MOS capacitors”, Appl. Phys. Lett. 110, 102106 (2017).
  • Y. Fujino and K. Kita, “Estimation of near-interface oxide trap density at SiO2/SiC metal-oxide-semiconductor interfaces by transient capacitance measurements at various temperatures”, J. Appl. Phys. 120, 085710 (2016).
  • Jiayang Fei and Koji Kita, “Understanding the impact of interface reaction on dipole strength at MgO/SiO2 and Y2O3/SiO2 interfaces”, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04EB11 (2016).
  • Kosuke Shimura, Ryota Kunugi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Jiayang Fei, Koji Kita and Takanobu Watanabe“Positive and negative dipole layer formation at high-k/SiO2 interfaces simulated by classical molecular dynamics”, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04EB03 (2016).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, “Effects of high-temperature diluted-H2 annealing on effective mobility of 4H-SiC MOSFETs with thermally-grown SiO2”, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04ER15 (2016).
  • Yuki Fujino and Koji Kita, “Quantitative Characterization of Near-Interface Oxide Traps in 4H-SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements”, ECS Trans, 69 (5) 219-225 (2015).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Suppression of byproduct generation at 4H-SiC/SiO2 interface by the control of oxidation conditions characterized by infrared spectroscopy", Appl. Phys. Express 8, 021401 (2015).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Yuki Fujino, "Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density", ECS Trans. 64 (8) 23-28 (2014).
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) Interface with Nearly-Ideal Capacitance-Voltage Characteristics by Thermal Oxidation," Appl. Phys. Lett. 105, 032106 (2014).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai, "Understanding of Growth Kinetics of Thermal Oxides on 4H-SiC (0001) for Control of MOS Characteristics", ECS Trans. 61(2) 135-142 (2014).
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Interface-reaction-limited growth of thermal oxides on 4H-SiC (0001) in nanometer-thick region", Appl. Phys. Lett. 104, 052106 (2014).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "FTIR-ATR Study on Near-Interface Structure of Thermal Oxides on 4H-SiC Substrates", ECS Trans. 58 (7) 317-323 (2013).
  • Jiro Koba and Koji Kita, "Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides", ECS Trans. 58 (5) 127-133 (2013).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Structural difference between near interface oxides grown on Si and C faces of 4H-SiC characterized by infrared spectroscopy", Appl. Phys. Lett. 103, 132106 (2013).
  • W. F. Zhang, T. Nishimula, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi, "Conduction Band Offset at GeO2/Ge Interface Determined by Internal Photoemission and Charge-corrected X-ray Photoelectron Spectroscopies", Appl. Phys. Lett. 102, 102106 (2013).
  • Naruto Miyakawa, D. C. Worledge, and Koji Kita, "Impact of Ta Diffusion on the Perpendicular Magnetic Anisotropy of Ta/CoFeB/MgO", IEEE Magnetic Lett. 4, 1000104 (2013).
  • Yugo Chikata, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi, "Quantitative Characterization of Band-Edge Energy Positions in High-k Dielectrics by X-ray Photoelectron Spectroscopy", Jpn. J. Appl. Phys., 52, 021101 (2013).
  • Koji Kita, David W. Abraham, Martin J. Gajek, and D. C. Worledge, "Electrci-field-control of magnetic anisotropy of Co0.6Fe0.2B0.2/oxide stacks using reduced voltage", J. Appl. Phys., 112, 033919 (2012).
  • Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Toshiyuki Tabata, Kosuke Nagashio, Koji Kita, and Akira Toriumi, "Variation of Surface Roughness on Ge Substrate by Cleaning in Deionized Water and its Influence on Electrical Properties in Ge Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors", Jpn. J. Appl. Phys. 51, 104203 (2012).
  • Shinji Hibino, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, and Akira Toriumi, "Counter Dipole Layer Formation in Multilayer High-k Gate Stacks", Jpn. J. Appl. Phys. 51, 081303 (2012).

<学会発表>
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Opportunity of dipole layer formationat non-SiO2 dielectric interfaces in two cases: multi-cation systems and multi-anion systems", 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) (Jun 29, 2017, Potsdom, Germany).
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, Hiroyuki Kajifusa, Kohei Kuroyama and Kei Ishinoda, "Investigation of Origins of the Critically Different MOS Interface Characteristics between Dry-oxidized and Wet-Oxidized Silicon Carbide", 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) (Jun28, 2017, Potsdom, Germany).
  • 作田良太,平井悠久,喜多浩之 「希土類元素存在下でのSiC/SiO2界面での酸窒化の促進 」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-7 (パシフィコ横浜,横浜市,3/17/2017).
  • 平井悠久,喜多浩之 「O2共存H2O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による4H-SiC MOSFET移動度の向上 」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-5 (パシフィコ横浜,横浜市,3/17/2017).
  • 石野田圭,喜多浩之 「酸化レートの変化からみた4H-SiC Si面ウェット酸化雰囲気中に共存する酸素の役割」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-4 (パシフィコ横浜,横浜市,3/17/2017).
  • 梶房裕之,喜多浩之 「4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-3 (パシフィコ横浜,横浜市,3/17/2017).
  • 黒山滉平,平井悠久,山本建策,林 真理子,細川 徳一,喜多浩之 「4H-SiC m面上にドライ+ウェット酸化プロセスにより形成されたMOS界面の界面準位密度および電気的ストレスに対する安定性のウェット酸化条件による変化」 第64回応用物理学会春季学術講演会 17p-301-2 (パシフィコ横浜,横浜市,3/17/2017).
  • 李為東,喜多浩之 "Effects of nitride and fluoride introduction on perpendicular anisotropy at CoFeB/Oxides interfaces", 第64回応用物理学会春季学術講演会 17a-501-3 (パシフィコ横浜,横浜市,3/17/2017).
  • 喜多浩之 「4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計」 第64回応用物理学会春季学術講演会 16p-502-3 (パシフィコ横浜,横浜市,3/16/2017),招待講演.
  • 鎌田啓伸,喜多浩之 「Al2O3/SiO2界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討」 第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-413-11 (パシフィコ横浜,横浜市,3/16/2017).
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO2 dielectric interface - MgO/Al2O3"第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-413-12 (パシフィコ横浜,横浜市,3/16/2017).
  • 鎌田啓伸,喜多浩之, "ダイポール層の選択的発現を利用したAl2O3/SiO2の繰り返し構造における大きなフラットバンド電圧シフト", 応用物理学会 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 」第22回研究会, pp.9-12 (東レ総合研修センター,三島市,1/20/2017).
  • 平井悠久,喜多浩之, ” ウェット酸化雰囲気に共存する酸素の効果の理解に基づく4H-SiC 各結晶面のウェット酸化プロセスの設計,” 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第3回講演会 P-92 (つくば国際会議場,つくば市,11/8/2016).
  • 梶房裕之,喜多浩之, ”4H-SiC C 面(000-1)のドライ及びウェット酸化条件によるMOS 界面特性への影響の理解”, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第3回講演会 P-93 (つくば国際会議場,つくば市,11/8/2016).
  • 黒山 滉平,平井 悠久,山本 建策,林 真理子,喜多 浩之, ”4H-SiC m 面ウェット酸化によるMOS 界面の電気特性と界面近傍SiO2 微視的構造の特徴の相関”, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第3回講演会 P-102 (つくば国際会議場,つくば市,11/8/2016).
  • Koji Kita and Hirohisa Hirai, "Impact of Sacrificial Cosumption of Substrate By Thermal Oxidation on Electron Mobility of 4H-SiC MOSFETs", Pacific Rim Meeting on Electrochemcal and Solid State Science / 230th ECS Meeting, "Symposium G02-Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 14" (Oct. 5, 2016, Honolulu, HI).
  • Koji Kita, " Opportunities to Design Thermal Oxidation and Post-Oxidation Processes to Control 4H-SiC MOS Interface Characteristics", 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-3-01 (Sep. 28, 2016, Tsukuba), invited.
  • Hiroyuki Kajifusa and Koji Kita, "Study on the Guideline to Control Dry and Wet Oxidation Conditions to Improve 4H-SiC (000-1) C-face MOS Interface Characteristics," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-1-02 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita," Impacts on 4H-SiC MOSFET Mobility of High Temperatue Annealing in Oxidizing Or Inert Ambient before Gate Oxide Growth," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-1-03 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • Hironobu Kamata and Koji Kita,"Design of Al2O3/SiO2 Laminated Stacks with Mutiple Interface Dipole Layers to Induce Large Flatband Voltage Shifts of MOS Capacitors," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), O-1-03 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe and Koji Kita,"Study on Dipole Layer Formation and its Origin at Al2O3/AlFxOy and Al2O3/AlNxOy Multi-anion Dielectric Interfaces by considering Anion Areal Density and Valence Differences," 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), O-1-05 (Sep. 27, 2016, Tsukuba).
  • 平井悠久,喜多浩之, ” 酸化性および還元性雰囲気におけるゲート酸化膜成長前の高温熱処理がSiC MOSFET移動度に与える影響,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-C302-1 (朱鷺メッセ,新潟市,9/16/2016), 講演奨励賞受賞記念講演.
  • 梶房裕之,喜多浩之, ” ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-C302-2 (朱鷺メッセ,新潟市,9/16/2016).
  • 黒山 滉平,平井 悠久,山本 建策,林 真理子,喜多 浩之, ”界面近傍のSiO2微視的構造とMOS界面の電気特性から見た4H-SiC m面のウェット酸化により形成されたMOS界面の特徴”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-C302-3 (朱鷺メッセ,新潟市,9/16/2016).
  • Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe, and Koji Kita, "Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions (Fluorine, Oxygen and Nitrogen)," 第77回応用物理学会秋季学術講演会 15a-B9-6 (朱鷺メッセ,新潟市,9/15/2016).
  • 喜多浩之, "4H-SiCの熱酸化過程の理解に基づくMOS特性の制御とその課題",第35回電子材料シンポジウム(EMS-35) (7月7日,守山市),招待講演.
  • Koji Kita, Hirohisa Hirai, Yuki Fujino and Hiroyuki Kajifusa, "Control of SiC thermal oxidation processes for the improvement of MOSFET performance", 229th Meeting of the Electrochemical Society, (May 29, 2016, San Diego, CA), invited.
  • 大石竜輔,喜多浩之,"Different effects between Al- and Zr-insertion on voltage control of PMA at CoFeB/oxide interface," 第63回応用物理学会春季学術講演会 22a-W241-3 (東京工業大学 大岡山キャンパス,目黒区,3/22/2016).
  • 黒山 滉平,平井 悠久,山本 建策,金村 髙司,喜多 浩之 「4H-SiC m面上に形成された熱酸化膜の界面近傍における微視的構造の特徴の赤外分光法による解析 」 第63回応用物理学会春季学術講演会 21a-H101-4 (東京工業大学 大岡山キャンパス,目黒区,3/21/2016).
  • 平井悠久,作田良太,喜多浩之 「4H-SiC MOSFET移動度に対する熱酸化による基板特性劣化とダメージ層除去効果の競合 」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-H101-16 (東京工業大学 大岡山キャンパス,目黒区,3/20/2016).
  • 梶房裕之,喜多浩之 「4H-SiC C面における高温・低O2分圧下ドライ酸化によるMOS界面特性の制御」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-H101-15 (東京工業大学 大岡山キャンパス,目黒区,3/20/2016).
  • 藤野雄貴,喜多浩之 「4H-SiC MOSキャパシタ界面近傍における電子と正孔の膜中トラップ密度分布の比較」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-H101-14 (東京工業大学 大岡山キャンパス,目黒区,3/20/2016).
  • 鎌田啓伸,喜多浩之 「Al2O3/SiO2界面のダイポール層の繰り返し構造を利用した大きなフラットバンド電圧シフト(>1 V) 」 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-7 (東京工業大学 大岡山キャンパス,目黒区,3/20/2016).
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Anomalous Flatband Voltage Shift of AlFxOy/Al2O3 MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions", 第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-6 (東京工業大学 大岡山キャンパス,目黒区,3/20/2016)..
  • Ryusuke Oishi and Koji Kita, "Enhancement of voltage-induced magnetic anisotropy
    change by preventing ferromagnetic surface oxidation in CoFeB/Al2O3 and CoFeB/ZrO2 stacks", 2016 Joint MMM (Magnetism and Magnetic Materials) -Intermag Conference, EG-09 (Jan 14,2016, San Diego, CA, USA).
  • 平井悠久, 喜多浩之, "4H-SiC/SiO2界面に対する高温ドライ酸化および高温希釈水素POAの効果", 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第2回講演会 VII-2 (大阪国際交流センター(大阪市),11/10/2015), 奨励賞受賞記念講演.
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Chemically Reactive and Non-Reactive Oxide/SiO2 Interfaces", 2015 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF2015) (Nov 2, 2015, Tokyo).
  • Yuki Fujino and Koji Kita, "Quantitative Characterization of Near-Interface Oxide Traps in 4H-SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements”, 228th Meeting of the Electrochemical Society (Oct. 12, 2015, Phoenix, USA).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, “Extraction of electron effective mobility of 4H‐SiC MOS inversion channel with thermally‐grown SiO2 by high‐frequency split C‐V technique“, 2015 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015) (Oct 6, 2015, Giardini Naxos, Italy).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai,Combination of High‐temperature Oxidation and Low‐temperature O2‐Annealing toward Nearly‐Ideal MOS Characteristics on 4H‐SiC (0001)”, 2015 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015) (Oct 4, 2015, Giardini Naxos, Italy).
  • Jiayang Fei and Koji Kita, "Understanding on the Impact of Interface Reactions on Dipole Strengths at MgO/SiO2 and Y2O3/SiO2 Interfaces", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 29, 2015, Sapporo).
  • Yuki Fujino and Koji Kita, "Characterization of Near-Interface Oxide Trap Density in SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements at Various Temperatures", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 29, 2015, Sapporo).
  • Hiroyuki Kajifusa and Koji Kita, "Removal of Near-Interface Oxide Traps at SiO2/SiC Interface by Post-Oxidation Annealing in Reducing Ambient", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 29, 2015, Sapporo).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Effects of High-Temperature Diluted-H2 Annealing
    on Effective Mobility of 4H-SiC MOSFETs with Thermally-Grown SiO2", 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) (Sep 28, 2015, Sapporo).
  • 大石竜輔,喜多浩之, 「CoFeB/MOx 界面磁気異方性の電界応答に界面の化学状態が与える影響 (Effects of Chemical States at Interface on Electric Field Effects of CoFeB/MOx stacks )」 第76回応用物理学会秋季学術講演会 14a-2J-3 (名古屋国際会議場(名古屋市),9/14/2015).
  • 藤野雄貴,喜多浩之, 「容量の過渡応答(C-t 特性)に基づくSiC MOS 界面近傍の膜中への捕獲電荷に起因した緩和現象の理解 」 第76回応用物理学会秋季学術講演会 16a-1A-6 (名古屋国際会議場(名古屋市),9/16/2015).
  • 大石竜輔,喜多浩之, 「CoFeB と遷移金属酸化物MOx の界面磁気異方性の電界応答性に遷移金属元素M の性質が与える影響 (Effects of Transition Metal Oxide on Voltage Control ofMagnetic Anisotropy of CoFeB/MOx Stacks)」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-D11-6 (東海大学(平塚市),3/13/2015).
  • 平井悠久,喜多浩之, 「4H -SiC 面内MOSFET上の dry 酸化界面における電界効果移動度と実効移動度の乖離」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-B4-3 (東海大学(平塚市),3/13/2015).
  • 菊地リチャード平八郎,喜多浩之, 「低温酸素アニールによるSiO2/4H-SiC (0001) 界面準位密度の増減機構の理解と制御」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-B4-2 (東海大学(平塚市),3/13/2015).
  • 藤野雄貴,菊地リチャード平八郎,喜多浩之, 「種々の温度における容量の過渡応答(C-t特性)に基づくSiC MOS界面近傍の膜中トラップ密度の定量化」 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-B4-1 (東海大学(平塚市),3/13/2014).
  • 平井悠久,喜多浩之, 「赤外分光法によるSiC熱酸化膜界面におけるSiO2構造変化と副生成物形成の観察」 第20回ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会報告) pp.133-136 (三島,1/30/2015).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Infrared Spectroscopic Study on Near-Interface Structure of THermally-Grown Oxides and Oxidation-Induced Byproducts at 4H-SiC/SiO2 Interface", 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (Dec 10, 2014, San Diego, USA).
  • 喜多浩之, 菊地リチャード平八郎,平井悠久,藤野雄貴 「理想的なSiC MOS特性の実現を目指した熱酸化プロセスの設計」 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回講演会 pp.18-19 (名古屋, 11/20/2014),招待講演.
  • 菊地リチャード平八郎,喜多浩之, 「SiO2/SiC界面準位密度低減のための酸素アニール条件選択の重要性」 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回講演会 pp.126-127 (名古屋, 11/19/2014).
  • 平井悠久,喜多浩之, 「4H-SiC/SiO2界面に低温O2酸化によって形成される酸化副生成物の赤外分光法による解析」 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回講演会 pp.130-131 (名古屋, 11/19/2014).
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai, "Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density", 226th ECS Meeting (Oct. 6, 2014, Cancun, Mexico).
  • 大石竜輔,喜多浩之 「CoFeB/MOx界面磁気異方性とその電界応答性の変化に与える金属元素Mの選択の効果」 第75回 応用物理学会秋季学術講演会 19a-S2-1(2014年9月19日,北海道大学(札幌).
  • 藤野雄貴,菊地リチャード平八郎,平井悠久,喜多浩之 「SiC MOS界面近傍の膜中欠陥モデルを用いた容量の過渡応答による遅い準位の定量的解析手法の提案」 第75回 応用物理学会秋季学術講演会 17p-A17-2(2014年9月17日,北海道大学(札幌)).
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Reduction of Defect State Density at SiO2/SiC Interface Formed by the Thermal Oxidation Accompanied with Direct CO Generation", 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) (Sep 11, 2014, Tsukuba).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Generation and Suppression of Oxidation Byproducts at 4H-SiC C-face/SiO2 Interface Characterized by Infrared Spectroscopy", 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) (Sep 10, 2014, Tsukuba).
  • Yuki Fujino, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Quantitative Characterization of Border Traps with Widely-Spread Time Constant in SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements", 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) (Sep 10, 2014, Tsukuba).
  • 平井悠久,喜多浩之 「4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違」 電子情報通信学会SDM研究会/応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第173回研究会 (2014年6月19日,名古屋大学),依頼講演.
  • Koji Kita, "Achievement of Nearly-Ideal MOS Characteristics on 4H-SiC (0001) Based on Kinetic and Thermodynamic Control of Thermal Oxidation", The 18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM2014) (Jun 10, 2014, Kinsale, Ireland), invited.
  • Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai, "Understanding of Growth Kinetics of Thermal Oxides on 4H-SiC (0001) for Control of MOS Characteristics", 225th ECS Meeting (May 12, 2014, Orlando, USA), invited.
  • 平井悠久,喜多浩之 「4H-SiC(000-1)C 面におけるwet 酸化界面構造の雰囲気による相違」 第61回 応用物理学会春季学術講演会 18a-E5-3(2014年3月18日,青山大学(相模原)).
  • 菊地リチャード平八郎,喜多浩之 「熱力学および速度論的知見に基づく低界面欠陥密度4H-SiC(0001) MOS の実現」 第61回 応用物理学会春季学術講演会 18a-E5-2(2014年3月18日,青山大学(相模原)).
  • 喜多浩之,菊地リチャード平八郎,平井悠久,藤野雄貴「4H-SiC 表面酸化機構の酸化温度と酸素分圧による違いの理解」 第61回 応用物理学会春季学術講演会 18a-E5-1(2014年3月18日,青山大学(相模原)).
  • 菊地リチャード平八郎,平井悠久,喜多浩之, 「薄膜領域における4H-SiC熱酸化膜形成機構の理解 - Road to carbon-free MOS interface -」 第19回ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会報告) pp.89-92 (熱海,1/24/2014).
  • 平井悠久,喜多浩之, 「面方位に依存した4H-SiC熱酸化膜の界面近傍での構造変化」 SiC 及び 関連半導体研究 第22回講演会 pp.92-93 (さいたま, 12/11/2013).
  • 菊地リチャード平八郎,喜多浩之, 「SiC熱酸化過程の理解とドライ酸化プロセスの制御によるMOS特性の改善」 SiC 及び 関連半導体研究 第22回講演会 pp.162-163 (さいたま, 12/11/2013).
  • Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Koji Kita, "Understanding of Growth Kinetics and Microscopic Structures of Nanometer-Thick Thermal Oxides on 4H-SiC", International Workship on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2013 IWDTF), pp.107-108 (Nov. 8, 2013, Tokyo).
  • Jiro Koba and Koji Kita, "Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides", 224th ECS Meeting, in symposium E5 Nonvolatile Memories 2 (Oct. 31, 2013, San Francisco).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "FTIR-ATR Study on Near-Interface Structure of Thermal Oxides on 4H-SiC Substrates", 224th ECS Meeting, in symposium E10 Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 11 (Oct. 30, 2013, San Francisco).
  • Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, "Re-investigation of the Post-oxidation Effects on 4H-SiC MOS Interface with High-Temperature Thermal Oxide", Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), p234 (Oct 2, 2013, Miyazaki).
  • Hirohisa Hirai and Koji Kita, "Structural Difference between Near Interface Oxides Grown on Si and C Faces of 4H-SiC Characterized by FTIR-ATR Method", Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), p114 (Oct 1, 2013, Miyazaki).
  • Jiro Koba and Koji Kita, "Voltage–Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy in TiOx/CoFeB/Ta", Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), pp. 802-803 (Sep 25, 2013, Fukuoka).
  • 古場治朗,喜多浩之 「TiOx/CoFeB/Taスタックの磁気異方性の電界による不揮発な制御の実証」 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 19p-C15-6(2013年9月19日,同志社大学(京田辺)).
  • 菊地リチャード平八郎,喜多浩之 「4H-SiC熱酸化膜の薄膜領域(<10nm)における直線的な成長過程の検証」 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 17a-B3-6(2013年9月17日,同志社大学(京田辺)).
  • 平井悠久,喜多浩之 「4H-SiC熱酸化膜の界面近傍の構造変化に対する面方位と酸化雰囲気の効果」 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 19p-C15-5(2013年9月17日,同志社大学(京田辺)).
  • Koji Kita, "Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ferromagnetic/Dielectric Stacks", Collaborative Conference on Material Research 2013 (CCMR2013) (Jun 25, 2013, Jeju, Korea), invited.
  • 平井悠久,喜多浩之 「4H-SiC熱酸化膜におけるFTIR-ATRピーク位置の膜厚依存変化とその因子」 第60回 応用物理学会春季学術講演会 28a-G22-13(2013年3月28日,神奈川工科大学(厚木)).
  • 栗原隆帆,古場治朗,宮川成人,喜多浩之 「MOx/CoFeB界面磁気異方性の様々なMに対して普遍的な電圧応答」 第60回 応用物理学会春季学術講演会 29a-A8-2(2013年3月29日,神奈川工科大学(厚木)).
  • 宮川成人,栗原隆帆,喜多浩之 「誘電体/CoFeB界面の磁気異方性とその電圧応答に与える誘電体中アニオン種の効果」, 第60回 応用物理学会春季学術講演会 29a-A8-3(2013年3月29日,神奈川工科大学(厚木)).
  • Naruto Miyakawa, Daniel C. Worledge, and Koji Kita, "Enhanced Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ta/CoFeB/MgO by Suppression of Ta Diffusion and CoFeB Surface Oxidation", 12th Joint MMM/Intermag Conference, BF-02 (Chicago, IL, 1/15/2013).
  • Jiro Koba, Takaho Kuribara, Naruto Miyakawa, and Koji Kita, "Characterization of Voltage Control of Magnetic Anisotropy up to 8 MV/cm by Using Substrate Bias Structure", 12th Joint MMM/Intermag Conference, BF-05 (Chicago, IL, 1/15/2013).
  • 平井悠久,喜多浩之, 「4H-SiC/SiO2とSi/SiO2界面近傍におけるSi酸化物の微視的構造の相違」 シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回SiC講演会 (大阪, 11/19/2012).
  • Koji Kita and D. C. Worledge, "Challenges and Opportunities in Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ultrathin Ferromagnetic Metals for Future Spintronics",International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN2012) (Brisbane, Australia, 10/22/2012), invited.
  • S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi, "Interface Dipole Concellation in SiO2/High-k/SiO2/Si Gate Stacks", 2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), (Honolulu, HI, 10/9/2012).
  • W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi, "Conduction Band-offset in GeO2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy", 2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), (Honolulu, HI, 10/9/2012).
  • Jiro Koba, Takaho Kuribara, Naruto Miyakawa, and Koji Kita, "Voltage Control of Magnetic Anisotropy of CoFeB Thin Films Stacked with Various Oxides", 2nd Int. Conf. of Asian Union of Manetics Societies (ICAUMS2012), (Nara, 10/05/2012).
  • Naruto Miyakawa, D. C. Worledge, and Koji Kita, "Study on Interface Magnetic Anisotropy Deterioration Mechanisms in Ta/CoFeB/MgO stacks", 2012 Int. Conf. on Solid State Device and Physics (SSDM), (Kyoto, 09/27/2012).
  • 宮川成人,D.C. Worledge, 喜多浩之 「CoFeB 表面酸化量による磁気異方性エネルギーの電界応答性の違い」 第73回秋季 応用物理学術講演会,2012年9月13日 (松山)
  • 古場治朗,栗原隆帆,宮川成人,喜多浩之 「CoFeB薄膜の磁気異方性およびその電界制御性の酸化物による違い」 第73回秋季 応用物理学術講演会,2012年9月13日 (松山)
  • 平井悠久, 喜多浩之 「FT-IR測定による4H-SiC表面の極薄熱酸化膜の構造評価」第73回秋季 応用物理学術講演会,2012年9月12日 (松山)
  • 小橋啓史,喜多浩之,「ECセル用Ta2O5薄膜へのプロトン導入法による導電性の変化」 電気化学会 第79回大会 3I-21 (2012年3月31日,アクトシティ浜松(浜松))
  • 喜多浩之,D. W. Abraham, M. J. Gajek, D. C. Worledge,「Ta/CoFeB/HfO2スタックの垂直磁気異方性とその電圧印加による制御」 第59回 応用物理学関係連合講演会 (2012年3月18日,早稲田大学(東京))
  • 宮川成人,D. W. Abraham, M. J. Gajek, D. C. Worledge,喜多浩之 「Ta/CoFeB/MgOスタックにおけるCoFeB表面還元がもたらす垂直磁気異方性の増大」 第59回 応用物理学関係連合講演会 (2012年3月18日,早稲田大学(東京))
  • K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, "Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology", 39th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-39), we1400 (SantaFe, NM, 1/25/2012) invited.
  • 喜多浩之,西村知紀,長汐晃輔,鳥海明, 「CMOS ゲートスタック応用へ向けたGeO2/Ge 界面反応の理解」 第31回表面科学 学術講演会,p.172 (2011年12月17日,東京都江戸川区),招待講演.
  • Koji Kita, D. W. Abraham, M. J. Gajek, and D. C. Worledge, "ElectricElectric-field Induced Change of Magnetic Anisotropy in CoFeB/Oxide Stacks", 56th Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM)(Scottsdale, AZ, 11/02/2011).
  • K. Kita and A. Toriumi, "Study on Dipole Layer Formation between Two Oxides : Experimental Evidences and Possible Models", 2011 MRS Spring Meeting (San Francisco, CA, 04/27/2011), invited.
鳥海研究グループの研究成果も御覧ください。

 
 東京大学大学院工学系研究科 喜多研究室