東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 喜多研究室 本文へジャンプ
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機能性ナノ薄膜工学講座 喜多研究室

MESSAGE
社会の省エネルギー化のために,電力の利用効率を高める技術の普及が急務となっています。当研究室では,高い機能を持つマテリアルを導入した電子デバイスを用いることで,電力利用効率の飛躍的な向上を目指す研究を行います。
例えば超高効率で電力変換を行うパワーデバイスがあれば,機器の動作や電力変換のたびに熱として損失しているエネルギーを大幅に削減できます。また,高度情報化社会では超低消費電力で動作する情報処理システムが不可欠となりつつあります。
当研究室では現在,超高効率の次世代パワーデバイス技術の開発や,新しい動作原理によって電流を殆ど必要としない先端エレクトロニクスを目指した研究を行っています。

准教授 喜多浩之
(きたこうじ)

〒113-8656 東京都文京区本郷7-3-1
東京大学工学部4号館441号室
TEL/FAX 03-5841-7164
kita(at)scio.t.u-tokyo.ac.jp
((at)は@へ置き換えて下さい)

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★研究室見学には随時対応します。事前に連絡の上,お越し下さい。
NEWS
プレスリリース: SiC MOSFETチャネル移動度解析に関する三菱電機との共同研究成果について紹介されました。SiC MOSFET移動度の系統的な評価から,移動度を制約する3つの因子である,不純物散乱,フォノン散乱,ラフネス散乱のそれぞれの影響する割合を明確化した研究です。 (2017年12月5日)
三菱電機株式会社 ニュースリリース
東京大学工学部 プレスリリース
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 トピックス
当研究グループの新しい研究成果がオンライン掲載されました。
"酸化により生じるSiCの表面歪みに関する新しい発見” : A. D. Hatmanto and K. Kita, APEX 2018,"フッ素の添加によるCoFeBの界面磁気異方性の増強効果": M. Pankieiev and K. Kita, AIP Advances 2018. 研究成果はこちら
48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2017, Dec 7-9) で2件の発表を行いました。研究成果はこちら 写真はこちら
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF)(Nov.20-22, Nara) で4件の口頭発表を行いました。研究成果はこちら 同会議にて D1 Hatmanto君がYoung Awardを受賞しました。おめでとう! 写真はこちら
12/2〜12/6にSan Franciscoにて開催される63rd IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2017)のtechnical highlightとして,三菱電機M. Noguchiらとの共同研究成果が紹介されています。(→ IEDM Tipsheet of Technical Highlightsの"Paper #9.3")

Conference Information & Call for Papers
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), Sep 9-13, 2018 at Univ. of Tokyo (Tokyo, Japan)
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) and 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), Oct 21-25, 2018 (Sendai, Japan)

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